型号：HSMS-8101-TR1
　　制造商：Broadcom (原Avago)
　　器件类型：双肖特基势垒二极管（共阴极配置）
　　封装类型：SOD-323（表面贴装）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大反向电压（Vr）：7V
　　平均整流电流（Io）：15mA
　　峰值正向浪涌电流（Ifsm）：100mA（微秒脉冲）
　　正向电压降（Vf）：典型值240mV（在1mA时），最大350mV（在1mA时）
　　反向漏电流（Ir）：最大20nA（在7V，25°C时）
　　结电容（Cj）：典型值0.3pF（在1MHz，4V偏置下）
　　反向恢复时间（Trr）：小于1ns（典型值）
　　功率耗散（Pd）：200mW（最大值）

HSMS-8101-TR1的核心优势在于其卓越的高频响应能力和低噪声特性，这主要得益于其采用的平面肖特基势垒技术。这种结构避免了PN结中存在的少数载流子存储效应，从而实现了极快的开关速度和极短的反向恢复时间（通常小于1纳秒），使其非常适合用于GHz级别的射频信号处理。该器件的结电容非常低（典型值仅为0.3pF），极大地减少了对高频信号的负载效应，提升了系统的整体带宽和响应速度。同时，其正向导通电压非常低（在1mA时典型值为240mV），这意味着在小信号输入条件下仍能实现有效导通，提高了信号检测的灵敏度，尤其适用于弱信号检波应用。
　　另一个显著特点是其双阳极共阴极的内部连接结构，这种设计允许构建全波电压倍增器或双平衡混频器电路，而无需额外的外部匹配元件，简化了PCB布局并节省了空间。该结构还增强了对称性和一致性，有助于提高混频器的端口隔离度和降低失真。此外，SOD-323封装不仅体积小巧（仅约1.7mm x 1.25mm x 1.1mm），而且热阻较低，能够有效散热，保证在连续工作条件下的稳定性。该器件在整个工作温度范围内表现出良好的参数稳定性，反向漏电流随温度变化较小，确保在宽温环境下仍能保持可靠的性能表现。
　　HSMS-8101-TR1还具备出色的抗静电能力（ESD）和较高的可靠性，经过严格的工业标准测试，包括高温反向偏压（HTRB）和温度循环测试，确保在严苛环境下的长期稳定性。其无铅、绿色环保的设计也符合现代电子产品对环保法规的要求，适用于自动回流焊工艺，便于大规模生产。综合来看，HSMS-8101-TR1是一款专为高性能模拟和射频前端设计优化的小信号肖特基二极管，兼具高频、低功耗、高灵敏度和高可靠性的特点，是无线通信和便携式设备中不可或缺的关键元器件。

HSMS-8101-TR1广泛应用于需要高频信号处理的小型化电子设备中。最常见的用途之一是作为射频能量采集（RF energy harvesting）系统中的检波二极管，用于从环境中的无线信号（如Wi-Fi、蓝牙或蜂窝信号）中提取微弱能量，为低功耗传感器或RFID标签供电。由于其低正向压降和高灵敏度，即使在极低输入功率（-20dBm以下）条件下也能实现有效的整流，因此成为能量采集设计中的首选器件。
　　在无线通信领域，该二极管常用于构建简单的幅度调制（AM）解调电路，例如在低成本无线遥控接收器或红外信号接收模块中进行包络检波。它也可用于UHF和微波频段的混频器设计，特别是在零中频（Zero-IF）或低中频接收架构中，利用其对称结构实现良好的端口隔离和本振泄漏抑制。
　　此外，HSMS-8101-TR1还适用于各种便携式消费电子产品，如智能手机、可穿戴设备和物联网终端中的天线耦合检测、信号强度指示（RSSI）电路以及自动增益控制（AGC）反馈环路。在测试测量仪器中，它可用于高频探头或示波器前端的保护与限幅电路。由于其微型封装和表面贴装特性，也非常适合高密度PCB布局和自动化生产流程，满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。

HSMS-286x系列（如HSMS-2860, HSMS-286C）
　　HSMS-285x系列
　　Avago HSM281x系列
　　BAS70-04/BAS70-05（NXP）
　　RB520S-40（Rohm）
　　MACOM MA4E2050