BAS116 JV 时间：2025/8/16 14:25:06 阅读：2

BAS116 JV 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）制造的双通道、高速、低电容硅开关二极管阵列。该器件广泛应用于高频信号切换、保护电路以及ESD（静电放电）保护等场景。BAS116 JV采用小型SOT-23封装，具有优异的高频性能和较低的寄生电容，适合用于通信设备、消费类电子产品以及工业控制系统。

参数

类型：双通道硅开关二极管
　　最大正向电流：100 mA
　　最大反向电压：100 V
　　最大反向漏电流：100 nA @ 100 V
　　正向电压：1.2 V @ 10 mA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　结电容：最高约2 pF @ 0 V
　　封装类型：SOT-23

特性

BAS116 JV 的关键特性之一是其低结电容，这使得它非常适合用于高频信号路径中的开关或保护电路。每个二极管的正向电压降较低，有助于减少功耗并提高效率。此外，该器件具有较高的反向击穿电压（100V），可提供良好的电路保护能力，防止因过压或静电放电引起的损坏。其SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于自动化装配，适用于高密度PCB设计。该器件还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于严苛的工业环境。
　　BAS116 JV 的另一个显著优势是其双通道结构，允许在同一封装内实现两个独立的开关或保护功能，从而减少外围元件数量，提高系统集成度。这种设计特别适合用于多路复用器、射频开关控制、数据线保护等应用。此外，其低漏电流特性也有助于降低待机功耗，提升设备的整体能效。

应用

BAS116 JV 主要应用于以下领域：无线通信模块中的射频信号切换控制、高速数据接口（如USB、HDMI）的静电放电保护、工业自动化设备中的继电器驱动电路、测试与测量仪器中的模拟信号切换、消费类电子产品中的电池供电管理电路以及汽车电子系统中的信号处理与保护等。此外，该器件也可用于电源管理电路中的反向电流阻断、电压钳位保护以及逻辑控制电路中的隔离功能。