晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50V
　　最大功耗（Ptot）：200mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110 ~ 800（根据工作电流和等级不同）
　　封装类型：SOT-416

BAS100ATB6_R1_00001 晶体管具备多项优异特性，适用于多种高频应用。其高频特性使其能够在100MHz范围内保持良好的放大性能，适合用于射频信号放大和处理。晶体管的电流增益范围较宽，从110到800，具体数值取决于工作条件和器件等级，这为设计人员提供了较大的灵活性，以满足不同的电路设计需求。
　　此外，该晶体管的封装形式为SOT-416，体积小且易于安装，适合高密度PCB布局。其最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为50V，能够满足中等功率放大需求，同时具备较高的可靠性。
　　该晶体管的低噪声特性使其在前端信号放大电路中表现出色，特别是在接收器和放大器电路中，能够有效提升信号质量。同时，其高频率响应能力确保了在高频应用中保持稳定的工作性能。
　　在工作温度范围方面，BAS100ATB6_R1_00001 可在-55°C至+150°C的范围内正常工作，适应各种苛刻的环境条件，适用于工业级和消费级电子产品。

BAS100ATB6_R1_00001 主要应用于需要高频信号放大的电路中。它广泛用于射频（RF）放大器、无线通信模块、前置放大器以及高频振荡器等电路中。在无线通信系统中，该晶体管可用于信号发射和接收的前端电路，提供稳定的信号放大功能。
　　此外，该晶体管还可用于音频放大器的前置放大级，提供高增益和低噪声性能，提升音频信号的清晰度。在消费类电子产品中，如电视、音响设备、无线麦克风系统等，也常见其身影。
　　由于其高频率响应和稳定性，该晶体管也可用于高频振荡器和混频器电路，为无线通信和射频识别（RFID）系统提供支持。在工业自动化和控制系统中，该晶体管可用于传感器信号放大和数据采集电路，提高信号的处理精度。
　　综上所述，BAS100ATB6_R1_00001 是一款性能优异的高频晶体管，广泛适用于各种电子设备和系统中。

BC847 NPN, 2N3904, 2N2222A, MMBT3904