FN31X223K500PXG是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子设备中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,能够有效提升系统效率并减少热量损耗。
FN31X223K500PXG为N沟道增强型MOSFET,适用于高频开关应用场合,支持大电流负载,并具备良好的热稳定性和可靠性。
类型:N沟道增强型MOSFET
封装形式:TO-247
最大漏源电压Vds:650V
最大栅源电压Vgs:±20V
最大漏极电流Id:50A
导通电阻Rds(on):0.05Ω
总功耗Ptot:200W
工作温度范围Tj:-55℃ to +175℃
开关时间(典型值):ton=20ns,toff=45ns
FN31X223K500PXG的核心优势在于其卓越的电气性能与散热设计。其低导通电阻显著降低了导通损耗,在高频开关条件下表现出色。同时,高击穿电压使其适合高压应用场景,例如电动车控制器或工业电源转换设备。
此外,该器件的快速开关速度有助于降低开关损耗,提高整体效率。其坚固的TO-247封装增强了散热能力,从而延长了使用寿命。FN31X223K500PXG还具有出色的静电防护能力,确保在复杂电磁环境下可靠运行。
该器件特别优化了动态性能,支持脉冲电流负载,非常适合需要高功率密度的应用场景。
FN31X223K500PXG主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC适配器和工业电源。
2. 电机驱动系统,如家用电器中的无刷直流电机控制。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 电动车牵引逆变器和电池管理系统(BMS)。
5. 高压转换器及工业自动化设备。
由于其强大的性能指标,FN31X223K500PXG成为众多高压、大电流应用的理想选择。
IRFP250N
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