时间：2025/7/9 15:01:57
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FN31X223K500PXG是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子设备中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够有效提升系统效率并减少热量损耗。
FN31X223K500PXG为N沟道增强型MOSFET，适用于高频开关应用场合，支持大电流负载，并具备良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
封装形式：TO-247
最大漏源电压Vds：650V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大漏极电流Id：50A
导通电阻Rds(on)：0.05Ω
总功耗Ptot：200W
工作温度范围Tj：-55℃ to +175℃
开关时间（典型值）：ton=20ns，toff=45ns
FN31X223K500PXG的核心优势在于其卓越的电气性能与散热设计。其低导通电阻显著降低了导通损耗，在高频开关条件下表现出色。同时，高击穿电压使其适合高压应用场景，例如电动车控制器或工业电源转换设备。
此外，该器件的快速开关速度有助于降低开关损耗，提高整体效率。其坚固的TO-247封装增强了散热能力，从而延长了使用寿命。FN31X223K500PXG还具有出色的静电防护能力，确保在复杂电磁环境下可靠运行。
该器件特别优化了动态性能，支持脉冲电流负载，非常适合需要高功率密度的应用场景。
FN31X223K500PXG主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，包括AC-DC适配器和工业电源。
2. 电机驱动系统，如家用电器中的无刷直流电机控制。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 电动车牵引逆变器和电池管理系统(BMS)。
5. 高压转换器及工业自动化设备。
由于其强大的性能指标，FN31X223K500PXG成为众多高压、大电流应用的理想选择。
IRFP250N
STP50NK65Z
FDP5065NZ
