BAS100AS-AU_R1_000A1是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的双极型晶体管(BJT),主要用于射频(RF)和高频应用。这款晶体管采用了先进的技术,具有优异的高频性能和稳定性,适用于各种射频电路设计。BAS100AS-AU_R1_000A1采用SOT-323封装,体积小巧,适合高密度的PCB布局。该器件的工作温度范围通常为-55°C至+150°C,适用于工业和汽车等严苛环境的应用场景。
类型:双极型晶体管(BJT)
晶体管类型:NPN
最大集电极电流:100mA
最大集电极-发射极电压:30V
最大基极电流:5mA
最大功耗:300mW
频率范围:高达100MHz
封装类型:SOT-323
BAS100AS-AU_R1_000A1具有多项显著的特性,使其在射频和高频应用中表现出色。首先,它的高频性能优异,能够支持高达100MHz的工作频率,非常适合用于射频放大器和振荡器等电路。其次,该晶体管具有良好的线性度和低失真特性,能够有效提高信号传输的质量。此外,BAS100AS-AU_R1_000A1的低噪声系数和高增益使其在低噪声放大器设计中表现出色,能够显著提高系统的信噪比。该器件的稳定性和可靠性也非常出色,能够在恶劣的工作环境下长时间运行。最后,SOT-323封装不仅节省空间,还提供了良好的热管理和电气性能,适合高密度的PCB布局。
BAS100AS-AU_R1_000A1广泛应用于射频和高频电子设备中。常见的应用包括射频放大器、振荡器、混频器和调制解调器等电路。由于其低噪声系数和高增益特性,它也常用于低噪声放大器设计,以提高信号接收的灵敏度和质量。此外,该晶体管还可用于汽车电子系统、无线通信设备和工业控制系统等需要高频性能和稳定性的场合。由于其小巧的封装,BAS100AS-AU_R1_000A1也适合用于便携式电子设备和模块化设计中。
BAS100AS-AU, BAS100AS, BC847, BC857