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BAS100AS-AU_R1_000A1 发布时间 时间:2025/8/14 20:49:53 查看 阅读:2

BAS100AS-AU_R1_000A1是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的双极型晶体管(BJT),主要用于射频(RF)和高频应用。这款晶体管采用了先进的技术,具有优异的高频性能和稳定性,适用于各种射频电路设计。BAS100AS-AU_R1_000A1采用SOT-323封装,体积小巧,适合高密度的PCB布局。该器件的工作温度范围通常为-55°C至+150°C,适用于工业和汽车等严苛环境的应用场景。

参数

类型:双极型晶体管(BJT)
  晶体管类型:NPN
  最大集电极电流:100mA
  最大集电极-发射极电压:30V
  最大基极电流:5mA
  最大功耗:300mW
  频率范围:高达100MHz
  封装类型:SOT-323

特性

BAS100AS-AU_R1_000A1具有多项显著的特性,使其在射频和高频应用中表现出色。首先,它的高频性能优异,能够支持高达100MHz的工作频率,非常适合用于射频放大器和振荡器等电路。其次,该晶体管具有良好的线性度和低失真特性,能够有效提高信号传输的质量。此外,BAS100AS-AU_R1_000A1的低噪声系数和高增益使其在低噪声放大器设计中表现出色,能够显著提高系统的信噪比。该器件的稳定性和可靠性也非常出色,能够在恶劣的工作环境下长时间运行。最后,SOT-323封装不仅节省空间,还提供了良好的热管理和电气性能,适合高密度的PCB布局。

应用

BAS100AS-AU_R1_000A1广泛应用于射频和高频电子设备中。常见的应用包括射频放大器、振荡器、混频器和调制解调器等电路。由于其低噪声系数和高增益特性,它也常用于低噪声放大器设计,以提高信号接收的灵敏度和质量。此外,该晶体管还可用于汽车电子系统、无线通信设备和工业控制系统等需要高频性能和稳定性的场合。由于其小巧的封装,BAS100AS-AU_R1_000A1也适合用于便携式电子设备和模块化设计中。

替代型号

BAS100AS-AU, BAS100AS, BC847, BC857

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BAS100AS-AU_R1_000A1参数

  • 现有数量11,569现货
  • 价格1 : ¥2.86000剪切带(CT)3,000 : ¥0.53060卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)100 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)500mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)850 mV @ 500 mA
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1 μA @ 100 V
  • 不同?Vr、F 时电容21pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商器件封装SOD-123
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C