BAFC108 时间：2025/12/29 16:56:52 阅读：13

BAFC108是一种N沟道增强型功率MOSFET，常用于高频电源、DC-DC转换器和开关电源等应用中。该器件由ON Semiconductor制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，使其在功率电子应用中非常受欢迎。BAFC108采用TO-220封装，适用于需要高效能和可靠性的电路设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（最大值）
　　功率耗散（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

BAFC108具有多项显著特性，使其适用于多种功率电子应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可减少导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有高开关速度，使其适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器和开关电源。此外，BAFC108具有较高的电流承载能力，可支持8A的连续漏极电流，适用于中等功率应用。该器件的TO-220封装不仅便于散热，还能提供良好的热稳定性，确保在高负载条件下的可靠性。BAFC108还具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性，使其在严苛环境下仍能稳定运行。由于其优异的性能和可靠性，BAFC108广泛用于工业控制、电源管理和汽车电子等领域。

应用

BAFC108广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和负载开关。其高开关速度和低导通电阻使其非常适合用于电源管理和高效能转换电路。此外，BAFC108也可用于逆变器、LED驱动器和功率因数校正（PFC）电路。在汽车电子中，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块。由于其优异的热性能和可靠性，BAFC108也适用于需要长时间高负载运行的工业设备和自动化控制系统。