型号：S7P-VH(LF)(SN)
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　最大连续漏极电流（ID）：-4.4A（@TC=70℃）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：30mΩ（@VGS=-4.5V）；27mΩ（@VGS=-10V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -1.8V
　　输入电容（Ciss）：620pF（@VDS=-10V）
　　反向传输电容（Cres）：90pF（@VDS=-10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：30ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：VH（DMPAK）
　　安装类型：表面贴装（SMT）

S7P-VH(LF)(SN) 采用先进的沟槽式 MOSFET 工艺制造，具备优异的电气性能与热稳定性。其低导通电阻 RDS(on) 特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效表现，特别适用于对功耗敏感的应用场景。在 VGS = -10V 条件下，RDS(on) 最低可达 27mΩ，确保在大电流负载下仍能维持较低的温升，从而提升系统可靠性。器件的栅极阈值电压范围为 -1.0V 至 -1.8V，支持逻辑电平驱动，能够直接由 3.3V 或 5V 控制信号有效开启，适用于微控制器或电源管理 IC 直接驱动的场合。
　　该器件具有良好的开关特性，输入电容 Ciss 为 620pF，反向传输电容 Cres 为 90pF，在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗和快速的响应能力。开启延迟时间约为 10ns，关断延迟时间为 30ns，适合用于 DC-DC 转换器、同步整流等高频开关电路中。此外，S7P-VH(LF)(SN) 内部结构优化了电场分布，增强了雪崩耐量和抗瞬态过压能力，提升了在恶劣工作环境下的鲁棒性。
　　VH 封装（DMPAK）采用双散热焊盘设计，能够通过 PCB 上的热过孔高效地将热量传导至内部接地层或散热层，实现良好的热管理。这种封装方式在保持小型化的同时提供了出色的散热性能，非常适合空间受限但需要较高功率密度的设计。同时，该器件符合 RoHS 环保标准，不含铅（LF 表示无铅），满足现代电子产品对环保和绿色制造的要求。其高可靠性和一致性使其广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。

S7P-VH(LF)(SN) 主要应用于需要高效、小型化 P 沟道功率开关的场合。典型应用场景包括便携式电子设备中的电池电源管理，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或反向电流阻断电路。在这些设备中，该器件可用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或系统级电源切换。此外，它也常用于 DC-DC 降压转换器中作为高端或低端开关元件，尤其是在同步整流拓扑中替代肖特基二极管以降低导通损耗，提高转换效率。
　　在电机驱动和继电器驱动电路中，S7P-VH(LF)(SN) 可作为 P 沟道开关用于控制电源路径的通断，尤其适用于低电压、中等电流的驱动需求。其逻辑电平兼容特性使得它可以被微控制器 GPIO 引脚直接驱动，简化了驱动电路设计，减少了外围元件数量，有助于缩小整体电路板尺寸。该器件还适用于 USB 电源开关、充电管理电路、LED 驱动电源以及各种类型的电压调节模块（VRM）中。
　　由于其良好的热性能和可靠性，S7P-VH(LF)(SN) 也被用于工业自动化设备中的传感器电源控制、嵌入式控制系统和小型电源适配器中。在汽车电子领域，尽管其电压等级较低，但在车身控制模块、车载信息娱乐系统的小信号电源切换中也有一定的应用潜力。总之，该器件凭借其高效率、小尺寸和易用性，成为多种低电压电源管理方案中的优选器件。

S7P201HG-E,RB141N-40,RBR2L030AN