型号：BA728F-E2
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：5.4A
　　最大脉冲漏极电流(ID_pulse)：21.6A
　　最大功耗(PD)：1W
　　导通电阻(RDS(on))：23mΩ @ VGS=10V, ID=2.7A
　　导通电阻(RDS(on))：30mΩ @ VGS=4.5V, ID=2.7A
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：590pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：50pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：160pF @ VDS=15V
　　开启延迟时间(Td(on))：8ns
　　上升时间(Tr)：32ns
　　关断延迟时间(Td(off))：28ns
　　下降时间(Tf)：12ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOT-23

BA728F-E2采用ROHM专有的沟槽结构工艺，实现了极低的导通电阻，从而显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统的能效表现。其RDS(on)在VGS=10V时仅为23mΩ，在同类SOT-23封装器件中处于领先水平，这意味着在大电流负载下仍能保持较低的温升，有助于提高系统可靠性并减少散热设计负担。该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为8nC，使得其在高频开关应用中具有更快的响应速度和更低的驱动损耗，非常适合用于同步整流、开关电源和负载开关等对效率要求较高的场合。
　　该MOSFET具备优异的热稳定性和长期可靠性，经过严格的老化测试和高温工作寿命验证，能够在-55℃至+150℃的宽温度范围内稳定运行，满足工业级和部分汽车级应用的需求。其SOT-23封装不仅体积小巧，便于集成于高密度PCB布局中，还具备良好的焊接可靠性和机械强度。此外，BA728F-E2内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，能够有效抑制感性负载关断时产生的电压尖峰，提升系统抗干扰能力。
　　由于采用了符合RoHS标准的无铅封装材料，并通过AEC-Q101认证，BA728F-E2可广泛应用于消费电子、通信设备、便携式仪器以及车载信息娱乐系统等领域。其稳定的电气性能和成熟的制造工艺使其成为中小功率开关应用中的理想选择。同时，该器件对静电敏感等级为HBM 2kV，建议在使用过程中采取适当的ESD防护措施以确保操作安全。

BA728F-E2主要应用于需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池开关或负载开关控制。在DC-DC转换器中，它可用作同步整流器或高端/低端开关，以提升转换效率并减小整体尺寸。此外，该器件适用于LED背光驱动电路，作为恒流源的开关元件，实现精确的亮度调节和节能效果。
　　在工业控制领域，BA728F-E2可用于继电器替代方案、电机驱动电路中的H桥开关或传感器供电控制，凭借其快速开关能力和低导通损耗，能够有效降低系统发热并延长使用寿命。在汽车电子方面，由于通过AEC-Q101认证，该器件适合用于车身控制系统，如车灯驱动、电动门窗、风扇控制和车载充电器等模块。
　　此外，BA728F-E2也可用于USB电源开关、热插拔控制器、无线充电发射端功率调节以及各类电池管理系统（BMS）中的充放电通路控制。其SOT-23封装便于自动化贴片生产，适合大批量制造，因此在消费类电子产品和嵌入式系统中得到了广泛应用。

SI2302DDS