BA301N-D 时间：2025/12/26 22:47:43 阅读：11

BA300N-D是一款由罗姆（ROHM）公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，常用于电源管理、开关电路以及电机驱动等应用中。该器件采用高效率的沟道设计，具有较低的导通电阻（RDS(on)），能够在较高的开关频率下工作，从而提高整体系统的能效。BA300N-D封装形式为TO-220F，具备良好的散热性能，适用于需要较高功率处理能力的工业和消费类电子设备。
　　该MOSFET的工作电压最大可达600V，能够承受较高的漏源电压（VDS），适合在高压环境中作为主开关元件使用。其栅极阈值电压（VGS(th)）典型值为3V至5V，使得它可以通过常见的逻辑电平信号直接驱动，兼容性较强。此外，该器件还具备快速开关特性，减小了开关过程中的能量损耗，有助于提升电源转换效率。由于其优异的电气特性和可靠性，BA300N-D广泛应用于AC-DC转换器、LED照明电源、开关电源（SMPS）、逆变器及其它电力电子系统中。

参数

型号：BA300N-D
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：7A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大值，@ VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3V ~ 5V
　　最大栅源电压（VGSS）：±30V
　　功耗（PD）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　输入电容（Ciss）：900pF（@ VDS=25V）
　　开启延迟时间（td(on)）：25ns
　　关断延迟时间（td(off)）：60ns
　　封装类型：TO-220F

特性

BA300N-D具备优异的开关性能和高耐压能力，是专为中高功率开关应用设计的N沟道MOSFET。其最大的特点之一是具备高达600V的漏源击穿电压，这使其非常适合应用于市电整流后的高压侧开关电路中，例如离线式反激变换器或PFC（功率因数校正）电路。该器件在VGS=10V时的导通电阻仅为1.2Ω，这一低阻值显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率，尤其在持续导通或大电流工作的场景中优势明显。
　　该MOSFET采用先进的平面硅技术制造，确保了器件在高温和高电压条件下的长期稳定运行。其热阻特性良好，TO-220F封装不仅便于安装在散热器上，还能有效将芯片产生的热量传导出去，防止因过热导致性能下降或损坏。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，意味着驱动电路所需的驱动功率较小，有利于简化驱动设计并降低外围元件成本。
　　在动态特性方面，BA300N-D表现出快速的开关响应能力，开启延迟时间为25ns，关断延迟时间为60ns，这种快速切换能力减少了开关过程中的交越损耗，特别适用于高频开关电源设计。同时，其体二极管具有较快的反向恢复特性，进一步提升了在感性负载应用中的可靠性。器件还内置了一定程度的抗雪崩能力，在瞬态过压情况下仍能保持一定的鲁棒性，增强了系统安全性。
　　BA300N-D符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于对环保要求较高的现代电子产品。其引脚配置清晰，与标准TO-220封装兼容，便于在PCB布局和自动化装配过程中使用。综合来看，BA300N-D是一款兼具高性能、高可靠性和良好性价比的功率MOSFET，适合广泛应用于各类电力电子设备中。

应用

BA300N-D广泛用于各类开关电源（SMPS）中，如AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源等，作为主开关管实现高效的能量转换。其高耐压特性也使其适用于PFC（功率因数校正）升压电路中，帮助提升电网侧的功率因数并减少谐波干扰。此外，该器件可用于小型逆变器、DC-DC变换器、电机控制电路以及工业自动化设备中的电源模块。由于其良好的热稳定性和开关特性，也常见于家用电器如空调、洗衣机、电磁炉等内部的功率控制单元中。