时间：2025/12/28 16:11:43
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KTC3878-O 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。这款MOSFET以其高效率、低导通电阻和良好的热稳定性著称，适用于各种高功率密度设计。KTC3878-O 采用 TO-220 封装形式，具有良好的散热性能，适合用于DC-DC转换器、电源供应器和电机驱动等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：20V
最大漏极电流（ID）：120A
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220
KTC3878-O MOSFET具备低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其导通电阻仅为4.5mΩ，确保了在高电流条件下依然保持较低的功率损耗。
此外，该器件具有高电流承载能力，最大漏极电流可达120A，适用于高功率应用。其TO-220封装提供了良好的散热性能，使器件在高负载下仍能稳定运行。
该MOSFET还具有快速开关特性，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器。其栅极电荷较低，有助于减少开关损耗并提高响应速度。
KTC3878-O的工作温度范围宽广，从-55°C到150°C，适应各种严苛的环境条件，并确保长期可靠运行。
KTC3878-O 常用于高性能电源系统，如DC-DC转换器、电源供应器、电池管理系统和电机驱动电路。其高效率和低导通电阻也使其成为服务器电源、工业自动化设备和汽车电子系统中的理想选择。
TKA120N30K3、IPW90R120I3S、FDP120N30T
