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BA10339F-E2 发布时间 时间:2025/5/8 1:31:18 查看 阅读:8

BA10339F-E2 是一款由 Rohm 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型表面贴装封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换和电源管理应用。其出色的性能使其在消费电子、工业设备和汽车电子等领域中广泛应用。
  BA10339F-E2 的设计重点在于提高效率和降低功耗,同时保持了较高的可靠性和稳定性。

参数

型号:BA10339F-E2
  类型:N 沟道增强型 MOSFET
  Vds(漏源电压):30V
  Rds(on)(导通电阻):5.6 mΩ(典型值,Vgs=10V)
  Id(连续漏极电流):78A
  Pd(总功耗):44W
  Vgs(栅源电压):±20V
  f(工作频率):支持高频开关
  封装:TO-252 (DPAK)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

BA10339F-E2 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够显著降低传导损耗,从而提升系统效率。
  2. 高额定电流能力(Id = 78A),适用于大功率应用。
  3. 快速开关性能,适合高频操作。
  4. 耐热性良好,工作温度范围宽广(-55°C 至 +175°C)。
  5. 小型化封装 TO-252,便于 PCB 布局设计。
  6. 高可靠性设计,满足严苛的工作环境要求。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。

应用

BA10339F-E2 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 直流电机驱动电路中的功率级元件。
  3. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
  4. 工业设备中的负载切换和保护。
  5. 汽车电子中的功率分配和控制。
  6. LED 照明驱动电路中的电流调节。
  7. 各种需要高效功率转换的场景。

替代型号

BA10339FVE-E2
  IRFZ44N
  FDP5800
  STP75NF06L

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BA10339F-E2参数

  • 标准包装2,500
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭线性 - 比较器
  • 系列-
  • 类型通用
  • 元件数4
  • 输出类型开路集电极
  • 电压 - 电源,单路/双路(±)3 V ~ 36 V,±1.5 V ~ 18 V
  • 电压 - 输入偏移(最小值)5mV @ 5V
  • 电流 - 输入偏压(最小值)0.25µA @ 5V
  • 电流 - 输出(标准)16mA @ 5V
  • 电流 - 静态(最大值)2mA
  • CMRR, PSRR(标准)-
  • 传输延迟(最大)-
  • 磁滞-
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳14-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
  • 安装类型表面贴装
  • 包装带卷 (TR)