BA10339F-E2 是一款由 Rohm 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型表面贴装封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换和电源管理应用。其出色的性能使其在消费电子、工业设备和汽车电子等领域中广泛应用。
BA10339F-E2 的设计重点在于提高效率和降低功耗,同时保持了较高的可靠性和稳定性。
型号:BA10339F-E2
类型:N 沟道增强型 MOSFET
Vds(漏源电压):30V
Rds(on)(导通电阻):5.6 mΩ(典型值,Vgs=10V)
Id(连续漏极电流):78A
Pd(总功耗):44W
Vgs(栅源电压):±20V
f(工作频率):支持高频开关
封装:TO-252 (DPAK)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
BA10339F-E2 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够显著降低传导损耗,从而提升系统效率。
2. 高额定电流能力(Id = 78A),适用于大功率应用。
3. 快速开关性能,适合高频操作。
4. 耐热性良好,工作温度范围宽广(-55°C 至 +175°C)。
5. 小型化封装 TO-252,便于 PCB 布局设计。
6. 高可靠性设计,满足严苛的工作环境要求。
7. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
BA10339F-E2 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 直流电机驱动电路中的功率级元件。
3. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
4. 工业设备中的负载切换和保护。
5. 汽车电子中的功率分配和控制。
6. LED 照明驱动电路中的电流调节。
7. 各种需要高效功率转换的场景。
BA10339FVE-E2
IRFZ44N
FDP5800
STP75NF06L