时间：2025/5/8 1:31:18
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BA10339F-E2 是一款由 Rohm 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型表面贴装封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电源管理应用。其出色的性能使其在消费电子、工业设备和汽车电子等领域中广泛应用。
BA10339F-E2 的设计重点在于提高效率和降低功耗，同时保持了较高的可靠性和稳定性。
型号：BA10339F-E2
类型：N 沟道增强型 MOSFET
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：5.6 mΩ（典型值，Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：78A
Pd（总功耗）：44W
Vgs（栅源电压）：±20V
f（工作频率）：支持高频开关
封装：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
BA10339F-E2 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够显著降低传导损耗，从而提升系统效率。
2. 高额定电流能力（Id = 78A），适用于大功率应用。
3. 快速开关性能，适合高频操作。
4. 耐热性良好，工作温度范围宽广（-55°C 至 +175°C）。
5. 小型化封装 TO-252，便于 PCB 布局设计。
6. 高可靠性设计，满足严苛的工作环境要求。
7. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
BA10339F-E2 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流电机驱动电路中的功率级元件。
3. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。
4. 工业设备中的负载切换和保护。
5. 汽车电子中的功率分配和控制。
6. LED 照明驱动电路中的电流调节。
7. 各种需要高效功率转换的场景。
BA10339FVE-E2
IRFZ44N
FDP5800
STP75NF06L
