BA10324AF-E2 是一款由 Rohm 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该芯片主要应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景,其出色的导通电阻和快速的开关特性使其在高效能应用中表现出色。
BA10324AF-E2 的封装形式为 TO-252(DPAK),能够提供高电流承载能力,并且具备良好的散热性能。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:18A
导通电阻:17mΩ(典型值)
栅极电荷:9nC(典型值)
总功耗:110W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
BA10324AF-E2 具有低导通电阻,可有效降低功率损耗,从而提高整体系统效率。同时,该器件具备快速开关速度,有助于减少开关损耗。此外,其小型化 DPAK 封装设计不仅节省了 PCB 空间,还增强了散热性能。
此功率 MOSFET 还具有优异的雪崩耐量能力,能够在异常条件下保护电路免受损坏。另外,其较高的漏极电流额定值和较宽的工作温度范围,使得 BA10324AF-E2 成为工业和汽车应用的理想选择。
BA10324AF-E2 适用于多种电力电子领域,包括但不限于以下应用:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 电机驱动中的功率级控制,例如步进电机或无刷直流电机。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
4. 电动车和混合动力车中的电池管理系统 (BMS) 和逆变器模块。
5. 各类需要高性能功率开关的应用场景。
BA10324AFS-E2
IRFZ44N
STP16NF06L