型号：B9938
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大连续漏极电流（ID）：-5.4A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-15A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS = -10V：45mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS = -4.5V：60mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：-1V 至 -2.5V
　　输入电容（Ciss）：520pF
　　输出电容（Coss）：190pF
　　反向传输电容（Crss）：50pF
　　栅极电荷（Qg）：12nC
　　功耗（Ptot）：1.5W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PG-SOT223

B9938 P沟道MOSFET具备多项关键特性，使其在众多功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）是该器件的核心优势之一。在VGS = -10V条件下，RDS(on)仅为45mΩ，而在更常见的-4.5V驱动电压下也仅60mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它有助于延长续航时间，并减少发热问题。同时，较低的RDS(on)意味着在相同电流下产生的热量更少，从而提升了系统的可靠性和稳定性。
　　其次，B9938具有出色的开关性能。其输入电容（Ciss）为520pF，输出电容（Coss）为190pF，反向传输电容（Crss）为50pF，这些电容参数表明该器件在高频开关操作中具有较快的响应速度和较低的驱动损耗。配合12nC的栅极电荷（Qg），使得驱动电路设计更加简便，能够与多种控制器和逻辑IC良好兼容。这对于需要快速开启和关闭的电源管理系统来说至关重要，例如在同步整流、DC-DC变换器或负载切换电路中，可以有效减少开关过程中的能量损耗。
　　再者，该器件采用了PG-SOT223封装，这种小型化表面贴装封装不仅节省PCB空间，还通过裸露焊盘提供良好的热传导路径，增强了散热能力。在1.5W的最大功耗下，结合适当的PCB布局和散热设计，B9938可以在高温环境下持续稳定运行。其工作结温范围从-55°C到+150°C，覆盖了大多数工业级和消费级应用场景的需求，确保在极端温度条件下仍能保持正常功能。
　　此外，B9938的栅源电压耐受能力达到±20V，提供了足够的安全裕度，防止因瞬态电压尖峰导致器件损坏。其阈值电压范围为-1V至-2.5V，确保在低电压控制信号下也能可靠导通，适用于3.3V或5V逻辑电平直接驱动的场合。综合来看，B9938凭借其低导通电阻、优异的开关特性、良好的热性能和宽泛的工作条件，成为现代电源管理设计中值得信赖的P沟道MOSFET解决方案。

B9938广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。典型的应用场景包括便携式电子设备中的电池电源管理，如智能手机、平板电脑和移动电源等，用于实现电池充放电控制、电源路径管理和过流保护等功能。在这些设备中，B9938的低导通电阻和小封装尺寸使其成为理想的负载开关或背靠背配置中的关键元件。
　　另一个重要应用领域是DC-DC转换器，尤其是在降压（Buck）拓扑中作为高端或低端同步整流开关使用。由于其P沟道特性，无需复杂的自举电路即可实现高端驱动，简化了电路设计并降低成本。此外，在电机驱动电路中，B9938可用于小型直流电机的方向控制和启停操作，特别是在玩具、家用电器和小型自动化设备中表现良好。
　　工业控制系统中的继电器替代、LED驱动电源、热插拔控制器以及各类电源分配单元也是B9938的常见应用方向。其可靠的电气性能和稳定的温度特性使其能够在工业环境下的长期运行中保持一致性。同时，由于符合RoHS标准且支持无铅焊接，B9938也适用于对环保要求较高的出口型电子产品和通信基础设施设备。

[
　　 "BSS84",
　　 "IRF9Z24NPBF",
　　 "FDD8858",
　　 "SI2301DS",
　　 "DMG2301U",
　　 "AO3415"
　　]