B8849 时间：2025/12/27 11:53:11 阅读：12

B8849是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路以及DC-DC转换器等电子系统中。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适合在高效率、小体积的电源设计中使用。B8849通常封装于小型化的表面贴装封装（如DPAK或TO-252），有助于节省PCB空间并提升功率密度。其设计目标是为中等功率应用提供一个可靠且经济高效的解决方案，尤其适用于消费类电子产品、工业控制设备及便携式电源系统。由于其优异的电气性能和坚固的结构设计，B8849能够在较宽的温度范围内稳定工作，满足多种严苛环境下的应用需求。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造的趋势。

参数

型号：B8849
　　极性：N沟道
　　漏源电压Vds：60V
　　栅源电压Vgs：±20V
　　连续漏极电流Id：13A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流Idm：52A
　　导通电阻Rds(on)：28mΩ（@Vgs=10V）
　　导通电阻Rds(on)：32mΩ（@Vgs=4.5V）
　　阈值电压Vgs(th)：2.0V ~ 4.0V（@Id=250μA）
　　输入电容Ciss：1370pF（@Vds=25V）
　　输出电容Coss：470pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间trr：28ns
　　功耗Pd：50W
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

B8849具有出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻Rds(on)显著降低了导通损耗，提升了整体系统效率。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为28mΩ，而在较低的驱动电压4.5V下也能保持32mΩ的低阻值，表明其对逻辑电平驱动信号有良好的兼容性，适用于由微控制器或PWM控制器直接驱动的应用场景。该器件的高电流承载能力（连续漏极电流可达13A）使其能够胜任中等功率级别的开关任务，例如电机驱动、LED驱动电源或同步整流电路。
　　B8849采用了优化的沟槽型MOSFET结构，有效提高了载流子迁移率，同时减少了寄生电容，从而实现了快速的开关响应。其输入电容和输出电容分别为1370pF和470pF，在高频开关应用中表现出较低的驱动功率需求和较小的开关延迟。反向恢复时间trr为28ns，说明体二极管的恢复特性较好，有助于减少开关过程中的能量损耗和电压尖峰，提升系统可靠性。
　　该器件具备优良的热性能，TO-252封装形式提供了良好的散热路径，结合50W的最大功耗能力，可在自然对流或简单散热条件下稳定运行。其工作结温范围从-55℃到+150℃，适应极端环境下的长期工作需求。此外，B8849内置的栅极保护结构可有效防止静电击穿，增强了器件的耐用性和生产过程中的可靠性。整体而言，B8849是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的功率MOSFET，适用于多种现代电源拓扑结构。

应用

B8849常用于各类开关电源系统中，特别是在DC-DC降压（Buck）、升压（Boost）及升降压（Buck-Boost）转换器中作为主开关或同步整流开关使用。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于笔记本电脑、平板电视、路由器等消费类电子产品的电源模块。此外，在电池供电设备如移动电源、电动工具和无人机中，B8849可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，实现高效的能量传输与安全保护。
　　在工业控制领域，B8849被广泛应用于电机驱动电路、继电器替代方案（固态开关）以及PLC输出模块中，凭借其快速响应和长寿命优势取代传统机械开关。在LED照明系统中，它可作为恒流驱动电路中的功率开关，确保光源稳定发光并提高能效。同时，由于其良好的热稳定性和抗干扰能力，也适用于汽车电子中的辅助电源系统，如车载充电器、车灯控制模块等。
　　此外，B8849还可用于逆变器、UPS不间断电源和太阳能控制器等新能源相关设备中，承担关键的功率切换功能。其表面贴装封装便于自动化生产，适合大规模SMT工艺，有助于降低制造成本并提高产品一致性。总之，B8849凭借其全面的性能指标和广泛的适用性，已成为许多中功率电源设计中的首选MOSFET之一。