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IRF840PBF 发布时间 时间:2024/7/8 15:31:22 查看 阅读:196

IRF840PBF是一款N沟道MOSFET晶体管,具有极低的导通电阻和高的电流负载能力。它采用TO-220封装,可以承受最大600V的电压和8A的电流。
  IRF840PBF具有优良的开关特性,能够快速地开关电路,使其在高频应用中表现出色。同时,它还具有低漏电流和低输入电容等特点,能够有效地降低电路的功耗和噪声。
  该晶体管广泛应用于高效率电源、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等领域。IRF840PBF还可以用于汽车电子、照明、通信和计算机等领域,因为它具有良好的抗干扰性和可靠性。
  总之,IRF840PBF是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,具有广泛的应用领域和可靠的性能表现,是电子工程师和电路设计人员的理想选择。

参数

1、最大漏极电压:600V
  2、最大漏极电流:8A
  3、最大功率:125W
  4、导通电阻:0.85Ω
  5、电源电压:20V
  6、静态工作电流:10uA
  7、输入电容:1000pF
  8、工作温度范围:-55℃ ~ 175℃

组成结构

IRF840PBF采用TO-220封装,封装材料为黄色热塑性高温塑料。其主要组成结构包括源极、漏极、栅极和背极。

工作原理

IRF840PBF是一种N沟道MOSFET晶体管,它的工作原理基于场效应管的原理。当栅极电压为零时,源极和漏极之间不存在导电通路,晶体管处于截止状态;当栅极加上正电压时,栅极和源极之间形成正电荷层,使得漏极和源极之间出现导电通路,晶体管处于导通状态。IRF840PBF的漏极电流主要由栅极电压控制,其输入电容较小,能够快速地开关电路,因此适用于高频应用。

技术要点

IRF840PBF的技术要点主要包括以下几个方面:
  1、导通电阻低:IRF840PBF的导通电阻仅为0.85Ω,能够承受较大的电流负载。
  2、输入电容小:IRF840PBF的输入电容仅为1000pF,能够快速地开关电路,适用于高频应用。
  3、抗干扰性好:IRF840PBF具有良好的抗干扰性能,能够在复杂的电磁环境下稳定工作。
  4、可靠性高:IRF840PBF采用优质材料制造,具有较高的可靠性和长寿命。

设计流程

IRF840PBF的设计流程主要包括以下几个步骤:
  1、确定应用场合:首先需要确定IRF840PBF应用的场合和工作要求,包括电压、电流、功率等参数。
  2、电路设计:根据应用场合和要求,设计合适的电路,包括电源电路、信号处理电路和输出电路等。
  3、选型:在电路设计完成后,选择合适的IRF840PBF型号,根据应用场合和要求确定最大电压、最大电流等参数。
  4、PCB设计:根据电路设计和IRF840PBF的封装类型,设计PCB板,包括布局、走线、焊盘等。
  5、调试测试:完成PCB板的制作和组装后,进行调试测试,确保电路正常工作。

常见故障和预防措施

IRF840PBF的常见故障主要包括以下几种:
  1、漏电流过大:漏电流过大可能是由于IRF840PBF的栅极电压过高或者源极和漏极之间存在短路等原因导致的。预防措施包括控制栅极电压、检查源极和漏极之间的连接等。
  2、漏电流过小:漏电流过小可能是由于IRF840PBF的栅极电压过低或者源极和漏极之间存在断路等原因导致的。预防措施包括控制栅极电压、检查源极和漏极之间的连接等。
  3、导通电阻过大:导通电阻过大可能是由于IRF840PBF的栅极电压不足或者源极和漏极之间存在接触不良等原因导致的。预防措施包括控制栅极电压、检查源极和漏极之间的连接等。
  4、输入电容过大:输入电容过大可能会导致电路响应速度变慢,影响电路性能。预防措施包括选择输入电容较小的IRF840PBF型号,或者采取其他措施减小输入电容。

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IRF840PBF参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C850 毫欧 @ 4.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF840PBF