型号：B8839
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：4.2A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：12A
　　导通电阻RDS(on)：28mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：35mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容Ciss：680pF（@VDS=15V）
　　输出电容Coss：180pF（@VDS=15V）
　　反向传输电容Crss：50pF（@VDS=15V）
　　栅极电荷Qg：8nC（@VGS=10V）
　　功耗PD：1W（@TA=25℃）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOT-23

B8839采用先进的沟槽型场效应晶体管结构设计，具有极低的导通电阻RDS(on)，这使得它在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。其典型值在VGS=10V时仅为28mΩ，在VGS=4.5V时为35mΩ，表明该器件不仅在标准驱动电压下表现优异，也能在较低的逻辑电平驱动条件下实现良好导通，适用于由3.3V或5V微控制器直接驱动的应用场合。这种低阈值电压与低RDS(on)的结合，使其非常适合用于电池供电设备中的电源开关或负载控制。
　　该器件具备优良的开关速度，得益于较小的输入电容（Ciss=680pF）和栅极电荷（Qg=8nC），可在高频PWM控制中快速响应，减少开关过程中的能量损耗，从而提升DC-DC变换器或马达驱动电路的动态性能。此外，B8839内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，有助于抑制感性负载关断时产生的电压尖峰，增强系统可靠性。
　　在热性能方面，B8839基于SOT-23封装，虽然体积小巧，但通过优化芯片布局和材料选择，实现了较好的散热能力。其最大功耗可达1W（在25℃环境温度下），结温可承受高达150℃，确保在紧凑空间内长期稳定运行。同时，器件符合RoHS环保标准，无卤素，支持绿色制造要求。整个制造流程遵循严格的品质管理体系，保证批次间一致性高，适用于大规模自动化贴装生产。

B8839常被用于各类中小功率电源管理系统中，例如手机、平板电脑、蓝牙耳机等便携式电子产品的电池保护电路或负载开关模块，用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能与安全隔离。在DC-DC降压或升压转换器中，B8839可作为同步整流开关使用，替代传统肖特基二极管以降低导通压降，提高转换效率。此外，它也广泛应用于LED驱动电路中，作为恒流调节或使能控制的开关元件。
　　在工业控制领域，B8839可用于驱动小型继电器、步进电机或风扇等执行机构，配合MCU实现数字控制。由于其具备较强的抗干扰能力和稳定的电气参数，适合在电磁环境复杂的工控设备中使用。在智能家居设备如智能插座、温控器、传感器节点中，B8839常作为主控单元与外设之间的功率接口，完成信号放大与功率切换功能。
　　另外，由于其封装尺寸小、易于集成，B8839也常见于各种USB供电设备、移动电源输出控制、充电管理IC外围电路中，承担过流保护、反接保护或多路电源选择等功能。总体而言，B8839凭借其高性价比、小尺寸和稳定性能，成为现代电子系统中不可或缺的基础功率开关器件之一。

Si2302DDS
　　AO3400
　　FDS6670A
　　FDMC8200