B8802 时间：2025/12/27 12:06:11 阅读：13

B8802是一款由比亚迪半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电源等高效率、高频率的电子系统中。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适合在高功率密度设计中使用。B8802主要面向消费类电子产品、工业控制设备以及汽车电子等领域，能够满足对能效和可靠性要求较高的应用场景。其封装形式通常为TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装，便于散热设计与自动化生产装配。由于其优异的电气性能和坚固的结构设计，B8802在过流、过温等异常工况下仍能保持稳定工作，提升了整个系统的安全性和耐用性。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺，适应现代绿色制造的需求。

参数

型号：B8802
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：60V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：120A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：480A
　　导通电阻RDS(on)：2.3mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：3.0mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容Ciss：10500pF（@VDS=25V）
　　输出电容Coss：1900pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间trr：35ns
　　工作结温Tj：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

特性

B8802采用比亚迪半导体自主研发的高性能沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下可低至2.3mΩ，显著降低了导通损耗，提升了整体系统效率。这一特性使其特别适用于大电流、低电压的应用场景，例如DC-DC转换器、同步整流电路以及电池管理系统中的主开关元件。器件的高电流承载能力（连续漏极电流可达120A）得益于优化的芯片布局和高效的散热设计，即使在高温环境下也能维持稳定的性能表现。
　　该MOSFET具有快速的开关响应能力，输入电容和输出电容均经过优化设计，在高频开关应用中表现出色，有助于减小开关损耗并提升电源转换效率。同时，其较短的反向恢复时间（trr=35ns）有效抑制了体二极管反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰问题，提高了系统运行的稳定性与安全性。此外，B8802具备较强的抗雪崩能力和鲁棒的栅极氧化层设计，能够在瞬态过压或负载突变情况下可靠工作，延长了产品的使用寿命。
　　器件的工作结温范围宽达-55℃至+175℃，可在极端温度条件下稳定运行，适用于工业级和部分汽车级应用环境。TO-252封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优良的热传导性能，可通过PCB上的铜箔或散热片将热量迅速导出，避免局部过热导致的失效风险。综合来看，B8802在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是中低压大电流功率开关应用中的理想选择之一。

应用

B8802广泛应用于各类需要高效能功率开关的电子设备中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC降压/升压变换器，其中作为主开关管或同步整流管使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提高转换效率并减少发热。在电动工具、无人机、电动自行车等便携式动力设备中，B8802常用于电机驱动电路，作为H桥或半桥拓扑中的开关元件，实现精确的转速与方向控制。
　　此外，该器件也适用于电池保护板（BMS）中的充放电控制回路，承担大电流通断任务，保障锂电池组的安全运行。在服务器电源、通信电源模块以及LED驱动电源中，B8802因其高可靠性和耐久性而被广泛采用。工业自动化控制系统中的继电器替代、固态开关、电磁阀驱动等场合也可使用B8802，以提升响应速度和系统寿命。由于其符合环保标准且支持自动化贴装，因此非常适合现代大规模生产和绿色能源解决方案的应用需求。