型号：B8687
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：800V
　　连续漏极电流（Id）：7A @ 25℃
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：260pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：55ns
　　最大功耗（Pd）：125W @ 25℃
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-252

B8687的首要特性是其高耐压能力，漏源击穿电压高达800V，使其非常适合用于离线式开关电源、AC-DC转换器以及高压直流母线系统中。这一高耐压特性确保了器件在面对电网波动或瞬态过压时仍能保持稳定工作，显著提升系统的安全裕度。与此同时，B8687在高温环境下的性能表现优异，其最大工作结温可达150℃，配合合理的散热设计可长期运行于高温工业环境中，满足严苛的应用条件。此外，该器件的导通电阻仅为1.2Ω（在Vgs=10V条件下），有效降低了导通损耗，提高了整体能效，尤其适用于需要长时间高负载运行的设备。
　　B8687具备快速开关能力，得益于其较低的输入和输出电容（Ciss=1100pF，Coss=260pF），能够实现高频开关操作，减少开关过渡时间，从而降低开关损耗。这对于提高电源系统的转换效率至关重要，尤其是在高频DC-DC变换器和LED恒流驱动电源中，有助于缩小磁性元件体积并提升功率密度。其反向恢复时间（trr）为55ns，表明其体二极管具有较快的响应速度，减少了反向恢复带来的能量损耗和电磁干扰问题，有利于改善系统EMI性能。
　　该MOSFET还具备良好的栅极驱动兼容性，阈值电压范围为2.0V至4.0V，可被标准逻辑电平或专用驱动IC轻松驱动。±30V的栅源电压耐受能力增强了其抗干扰能力，防止因驱动信号振荡或噪声导致的误触发或栅氧层击穿。此外，B8687采用TO-220或TO-252封装，具备优良的热传导性能，可通过外接散热片进一步提升散热能力，适用于高功率密度设计。综合来看，B8687在耐压、导通损耗、开关速度和热管理方面的均衡表现，使其成为众多中高压功率应用的理想选择。

B8687广泛应用于各类需要高效、高耐压功率开关的电子系统中。其典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器和机顶盒电源单元，其中B8687作为主开关管承担能量传递任务，利用其800V耐压优势直接连接整流后的市电，简化电路结构并提升效率。在LED照明驱动电源中，B8687常用于反激式或降压式拓扑结构，实现恒流输出控制，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高光效并降低发热。
　　在工业控制系统中，B8687可用于电机驱动电路中的功率开关元件，特别是在小功率直流电机或步进电机的H桥驱动中，提供可靠的通断控制。其内置体二极管可在电机换向时提供续流通路，保护器件免受反电动势冲击。此外，B8687也适用于太阳能逆变器中的DC-AC转换环节，作为初级侧的开关器件参与能量转换过程，其高耐压和良好热稳定性保障了系统在户外复杂环境下的长期可靠运行。
　　在家用电器领域，如空调、洗衣机和电磁炉的电源模块中，B8687可用于PFC（功率因数校正）电路或主逆变电路，提升电能利用率并满足能效标准。由于其符合RoHS环保规范，也适用于出口型电子产品。在UPS不间断电源和电池管理系统中，B8687可作为充放电控制开关，实现高效的能量管理。总体而言，B8687凭借其高性能和高可靠性，已成为多种中高压功率转换应用中的关键元器件。

SIHF8687, STP8687, FQPF8687, KSE8687