电容：4.7nF
　　容差：±5%
　　额定电压：1000V DC
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：C0G（NP0）
　　封装尺寸：1812 (4532 metric)
　　介质类型：Class I, C0G/NP0
　　绝缘电阻：≥10000MΩ 或 RC ≥ 1000s
　　耗散因子（DF）：≤0.1%
　　抗湿性：IEC/EN 60068-2-30 符合
　　耐焊接热：IEC/EN 60068-2-56 标准
　　可焊性：符合 IEC/EN 60068-2-20
　　寿命测试：在额定电压和 125°C 下至少 1000 小时无失效
　　EMI 抑制能力：适用于高干扰环境
　　安装方式：表面贴装（SMD）

B82794C0475N465 采用 Class I 陶瓷介质，具体为 C0G（也称 NP0）材质，这种材料具有极高的温度稳定性和频率稳定性，能够在整个工作温度范围内（-55°C 至 +125°C）保持电容值几乎不变，温度系数仅为 0±30ppm/K，远优于其他类型的 MLCC。这意味着在极端温度变化下，该电容器不会出现明显的容量漂移，从而保证系统的精确性和稳定性。
　　该器件具备高达 1000V DC 的额定电压，使其能够安全地用于高压电源滤波、DC-Link 电路、X 射线发生器、激光驱动器等高能量系统中。即使在高直流偏压作用下，C0G 材料也不会像高介电常数陶瓷（如 X7R、Y5V）那样发生显著的容量衰减，因此在实际应用中表现出真实可用的电容值。
　　其低耗散因子（DF ≤ 0.1%）意味着极小的能量损耗和发热，特别适合用于高频谐振电路、射频匹配网络和高 Q 值滤波器中，有助于提高系统效率并减少温升问题。
　　B82794C0475N465 还具备优异的抗老化性能，C0G 材料本身不随时间发生容量退化，使用寿命长达数十年，且不受湿度、振动和热循环的影响。产品通过严格的环境测试认证，包括耐湿性、可焊性、耐焊接热和热冲击试验，确保在回流焊过程中不产生裂纹或性能下降。
　　此外，该电容器具有良好的 EMI 抑制能力，可用于噪声滤波和信号完整性保护，尤其适用于工业自动化控制系统、医疗成像设备和高端通信基站等对电磁兼容性要求严苛的场合。整体结构致密坚固，机械强度高，能有效抵抗 PCB 弯曲和机械应力带来的损坏风险。

B82794C0475N465 广泛应用于对电性能和可靠性要求极高的工业与专业电子系统中。在工业电源领域，它常被用作输入/输出端的高压滤波电容，配合 EMI 滤波器使用，以抑制开关电源中的传导噪声，提升整体电磁兼容性表现。在大功率 DC-DC 转换器和逆变器中，该器件可用于 DC-Link 缓冲电路，吸收电压尖峰并稳定母线电压，防止功率器件因过压而损坏。
　　在通信基础设施方面，该电容器适用于基站射频模块中的阻抗匹配网络和谐振电路，因其 C0G 特性可确保频率响应的一致性，避免信号失真或带宽偏移。同时，也可作为耦合电容用于高速数据传输线路中，实现交流信号传递的同时隔离直流分量。
　　在汽车电子领域，尽管此型号非 AEC-Q200 完全认证系列的一部分（需确认具体批次），但其高耐压和宽温特性使其适用于车载充电机（OBC）、DC-DC 升压模块及高压电池管理系统中的滤波与去耦应用。
　　医疗设备如超声波成像仪、CT 扫描仪和除颤器中，B82794C0475N465 可用于高压脉冲生成电路和精密模拟前端，保障信号处理的准确性与安全性。
　　此外，在测试测量仪器、航空航天电子系统和激光驱动电源中，该电容器也因其长期稳定性与低失真特性而备受青睐，是高端电子设计中不可或缺的关键元件。

B82794C0475N460
　　B82794C0475N470
　　GRM450C70J472KW12D
　　C322C472K1G5TA