M28945-13 时间：2025/12/27 14:41:15 阅读：15

M28945-13是一款由Microsemi（现为Microchip Technology公司的一部分）生产的高可靠性、低功耗的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片，专为航空航天、国防和高可靠性工业应用设计。该器件符合MIL-PRF-38535标准的QML（Qualified Manufacturers List）认证要求，确保其在极端环境条件下的稳定运行。M28945-13采用先进的制造工艺和抗辐射设计，具备出色的抗总剂量辐射能力（通常可达到100krad(Si)以上），并具有单粒子翻转（SEU）免疫特性，适用于卫星、航天器、雷达系统以及需要长期可靠性的关键任务系统中。该SRAM器件提供异步读写操作，支持高速数据访问，广泛用于需要非易失性备份或实时数据缓存的应用场景。封装形式通常为陶瓷双列直插（CerDIP）或陶瓷扁平封装（CQFP），以满足军用级温度范围（-55°C至+125°C）的操作需求。

参数

型号：M28945-13
　　制造商：Microchip (原Microsemi)
　　存储容量：16K x 8位（128Kb）
　　组织结构：16,384字 × 8位
　　电源电压：4.5V 至 5.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　访问时间：15ns / 20ns / 25ns（根据不同版本）
　　封装类型：28引脚 Ceramic DIP 或 CQFP
　　接口类型：并行异步
　　功耗：典型值约 500mW（最大待机时低于 100μW）
　　辐射耐受性：>100krad(Si) TID，SEL免疫
　　可靠性等级：QML-V 或 QML-Q 认证
　　写周期时间：最小 100ns
　　读周期时间：最小 100ns

特性

M28945-13具备卓越的高可靠性设计，其核心特性之一是针对空间和军事环境优化的抗辐射性能。该器件采用特殊工艺制造，能够在高达100krad(Si)以上的总电离剂量（TID）环境中保持正常功能，同时具备单粒子闩锁（SEL）免疫能力，防止因高能粒子撞击导致的设备损坏。此外，它还对单粒子翻转（SEU）进行了设计抑制，极大降低了数据错误的风险，保障了关键系统的数据完整性。
　　该SRAM采用全静态CMOS设计，无需刷新操作即可维持数据，适合低功耗应用场景。其异步接口允许灵活连接到各种微处理器和控制器，无需复杂的时序控制逻辑。器件内部集成了片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）控制信号，支持字节级别的读写操作，并可通过电源管理实现低功耗待机模式，在待机状态下电流消耗极低，有助于延长电池供电系统的使用寿命。
　　M28945-13通过了严格的筛选和测试流程，包括温度循环、恒定加速度、机械冲击、振动测试以及寿命加速试验，确保其在严苛物理环境下的长期稳定性。所有器件均来自经批准的生产线，并附带完整的可追溯性文档，满足DO-254、MIL-STD-883等航空电子和军用标准的要求。其陶瓷封装不仅提供了优异的热稳定性，还能有效防止湿气渗透，提升器件在真空或高低温交变环境中的可靠性。
　　此外，该器件支持多供应商兼容替代路径，并可通过宇航级老化筛选（如Burn-in）进一步提升早期失效剔除率。整体设计强调长生命周期支持与可持续供货能力，非常适合部署于卫星平台、飞行控制系统、深空探测器及核设施监控系统等对安全性要求极高的领域。

应用

M28945-13主要应用于对可靠性和环境适应性要求极高的高端工业与国防系统。在航空航天领域，它常被用于卫星星载计算机、姿态控制系统、遥测数据缓存单元以及轨道通信模块中，作为临时数据存储单元，在发射和运行期间承受剧烈的温度变化和宇宙射线辐射。由于其抗辐射特性，该器件也广泛应用于导弹制导系统、雷达信号处理单元和无人作战平台的核心控制模块中，确保在复杂电磁环境下依然能够稳定执行指令。
　　在民用航空电子设备中，M28945-13可用于飞行记录仪（黑匣子）、惯性导航系统（INS）和发动机控制单元（ECU），提供快速响应的数据暂存能力。其宽温特性和长寿命设计使其成为极端气候地区或高原、极地作业设备的理想选择。此外，在核能发电站、放射性监测装置和高能物理实验装置中，该SRAM可用于采集和缓冲传感器数据，避免因辐射干扰导致的数据丢失或误判。
　　该器件同样适用于需要长期服役且难以维护的地下勘探设备、深海探测器和远程气象站等系统。由于其具备完整的质量认证体系和批次可追溯性，M28945-13也被用于医疗领域的高安全性设备，如放射治疗机和植入式监测装置的外部控制单元中。总体而言，任何需要在不可预测或恶劣环境中实现高稳定数据存储的应用，都是M28945-13的典型使用场景。