电容值：0.47 μF
　　容差：±15%
　　额定电压：200 V DC
　　电介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15%
　　封装尺寸：1812（4532）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层 / 锡镀层
　　电容温度系数：X7R
　　最大工作电压：200 V DC
　　耐压测试电压：通常为 1.5 倍额定电压（300 V DC）
　　绝缘电阻：≥ 10,000 MΩ 或 R × C ≥ 500 S（取较大者）
　　损耗角正切（tan δ）：≤ 2.5%
　　老化率：≤ 2.5% 每十年（典型值）

B82790C474N215W97 具备出色的电气与机械性能，适用于多种严苛工作环境。其采用 X7R 电介质材料，能够在宽温度范围内提供稳定的电容值，特别适合用于温度波动较大的工业和汽车应用。X7R 材料相较于 Y5V 等其他陶瓷介质，在温度稳定性方面表现更优，虽然不如 C0G/NP0 精确，但在成本与性能之间实现了良好平衡。该电容器的 200 V 额定电压使其可用于中高压直流链路滤波、跨接电源线路或作为去耦电容使用，避免了在高压系统中并联多个低压电容的复杂性。
　　该器件采用多层结构设计，通过交替堆叠陶瓷介质与内部电极（通常为镍或铜）实现高电容密度。这种结构不仅提高了单位体积的储能能力，还降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而增强了高频响应性能，适用于开关频率较高的 DC-DC 变换器和逆变器电路。此外，B82790C474N215W97 具有良好的抗热冲击能力，在回流焊过程中不易开裂，提升了生产良率。
　　该 MLCC 的端电极为镍阻挡层加锡外镀层结构，有效防止银迁移现象，并兼容无铅焊接工艺。其 1812 封装尺寸在保证足够爬电距离的同时，也兼顾了 PCB 布局的空间效率。由于具备高绝缘电阻和低漏电流特性，该电容器可用于精密定时电路或耦合/隔直应用。同时，其低损耗因子（tan δ ≤ 2.5%）意味着在交流或脉冲应用中发热较小，有助于提升系统整体效率和可靠性。EPCOS 对该系列产品的老化行为进行了严格建模，确保电容值随时间的变化可预测且可控。

B82790C474N215W97 广泛应用于各类需要中高压、中等容量陶瓷电容的电子系统中。在工业电源领域，它常被用作输入/输出滤波电容或缓冲电路中的吸收电容，用于抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI）。在 DC-DC 转换器中，该器件可作为输出端的储能和平滑滤波元件，尤其适用于升压或反激式拓扑结构，因其能够承受较高的直流偏置电压而不显著降低有效电容值。
　　在功率因数校正（PFC）电路中，B82790C474N215W97 可用于辅助电源的滤波部分或控制芯片的供电旁路，保障 PFC 控制器稳定运行。在照明电子镇流器和 LED 驱动电源中，该电容器可用于交流耦合、噪声滤波或启动电路中，提高系统的能效和寿命。在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电桩中，该 MLCC 被用于直流母线滤波或信号隔离环节，发挥其高耐压和高可靠性的优势。
　　在汽车电子系统中，尽管并非所有 X7R 器件都满足 AEC-Q200 标准，但若该型号通过相关认证，则可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块或车载充电机（OBC）中。此外，在通信设备、医疗仪器和消费类高端电源中，该电容器也因其稳定性和耐用性而受到青睐。由于其表面贴装设计，非常适合自动化生产线，有助于提高制造效率和产品一致性。

GRM450R71C474KA88J
　　CL21A474KAFNNNE
　　C3216X7R1C474K160AC
　　UHJ1H474KED