B82498B1102J 时间：2025/12/27 11:35:44 阅读：9

B82498B1102J 是由 TDK 公司生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC），主要用于电子电路中的去耦、滤波、旁路和信号耦合等应用。该器件属于 EPCOS 系列产品线，具备高可靠性与稳定性，广泛应用于工业控制、通信设备、消费类电子产品以及汽车电子等领域。B82498B1102J 采用标准的表面贴装封装形式，便于自动化贴片工艺，适合高密度 PCB 布局设计。该电容器以镍钯终端电极和氧化钌内电极材料为基础，结合先进的陶瓷介质技术，在小型化的同时实现了较高的电容值与耐压性能。其结构经过优化设计，具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），有助于提升电源系统的动态响应能力并降低噪声干扰。此外，该元器件符合 RoHS 环保标准，不含铅等有害物质，适用于无铅回流焊工艺。整体而言，B82498B1102J 是一款高性能、高稳定性的贴片电容，特别适合在对空间和可靠性要求较高的现代电子系统中使用。
　　这款电容器的工作温度范围宽，能够在-55°C至+125°C环境下稳定运行，确保在极端温度条件下仍能维持良好的电气性能。它还具备优异的抗湿性和机械强度，能够有效抵抗热冲击和振动影响，从而提高整个电子系统的长期可靠性。由于其出色的频率响应特性，B82498B1102J 可用于高频去耦场景，例如为高速数字 IC 或射频模块提供稳定的局部储能。同时，该器件通过了AEC-Q200认证，表明其满足汽车级元器件的严苛测试标准，可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块或车身控制单元等应用场景。

参数

型号：B82498B1102J
　　制造商：TDK
　　品牌系列：EPCOS
　　电容值：1000pF (1nF)
　　容差：±5%
　　额定电压：100V DC
　　介质材料：C0G/NP0
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0603 (1608 公制)
　　温度系数：0 ±30ppm/K
　　绝缘电阻：≥10000MΩ 或 R×C ≥ 1000S
　　损耗因数（DF）：≤0.1%
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍钯镀层
　　RoHS合规性：是
　　AEC-Q200认证：是

特性

B82498B1102J 采用 C0G（即 NP0）陶瓷介质材料，这是目前最稳定的电容器介质之一，具备极其优异的温度稳定性与频率响应特性。C0G 材料的温度系数为 0 ±30ppm/°C，意味着在整个工作温度范围内，电容值几乎不会随温度变化而发生漂移，这对于需要高精度定时、滤波或振荡电路的应用至关重要。例如，在高频 LC 滤波器、晶振负载电容或精密模拟前端中，电容值的稳定性直接影响系统性能，而 B82498B1102J 能够确保这些电路长期稳定运行。此外，C0G 介质还表现出极低的电压系数，即使在接近额定电压下工作，电容值也不会显著下降，这与 X7R、Y5V 等高介电常数材料形成鲜明对比。
　　该器件具有非常低的损耗因数（DF ≤ 0.1%），说明其能量损耗极小，效率高，特别适用于高频应用场景。低损耗意味着更少的发热和更高的 Q 值，使其成为射频匹配网络、谐振电路和高 Q 滤波器的理想选择。同时，由于其低 ESR 和 ESL 特性，B82498B1102J 在高速开关电源中可作为有效的去耦电容，快速响应瞬态电流需求，抑制电源轨上的电压波动，保障敏感芯片的正常工作。
　　B82498B1102J 的 0603 小型化封装使其占用 PCB 面积极小，适应现代电子产品向轻薄短小发展的趋势。尽管体积小巧，但其仍能承受 100V 直流工作电压，具备较高的电压裕量，提升了系统安全性。该器件经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环、耐焊接热等试验，确保在恶劣环境下长期使用的稳定性。其镍钯终端结构增强了可焊性与耐腐蚀性，支持多次回流焊工艺，适用于复杂的多层板制造流程。

应用

B82498B1102J 广泛应用于对电容稳定性要求极高的场合。在通信设备中，常用于 RF 放大器的偏置去耦、天线匹配网络和谐振电路，凭借其低损耗和高 Q 值特性，有助于提升信号完整性和传输效率。在工业控制系统中，该电容可用于 PLC 模块、传感器接口电路和精密 ADC/DAC 前端滤波，确保采集信号的准确性。在汽车电子领域，得益于 AEC-Q200 认证，B82498B1102J 被广泛用于车载摄像头模组、雷达传感器、仪表盘显示驱动和车载信息娱乐系统中的电源去耦与噪声抑制。此外，在医疗电子设备中，因其高可靠性和稳定性，也被用于生命体征监测仪、超声成像前端等关键部位。消费类电子产品如智能手机、平板电脑和无线耳机中，该器件常用于音频路径耦合、时钟电路负载电容以及 PMU 输出滤波，保障系统稳定运行。