时间：2025/12/27 13:02:11
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B82496C3680G000 是由 EPCOS（现属于 TDK 集团）生产的一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC），专为高频率、高电流和低损耗应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备出色的电气性能和机械稳定性，广泛应用于工业电源、通信设备、汽车电子以及高频开关电源系统中。B82496C3680G000 属于 EPCOS 的 Power Capacitor 系列，特别优化用于抑制电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI），在高频去耦和滤波电路中表现出色。其紧凑的表面贴装封装形式使其适用于高密度 PCB 布局，同时保持良好的热稳定性和长期可靠性。该电容器符合 RoHS 指令要求，并通过 AEC-Q200 认证，适合在严苛环境条件下运行。
制造商：EPCOS (TDK)
产品系列：B82496
电容值：6.8 pF
容差：±0.1 pF
额定电压：500 V DC
介电材质：C0G/NP0
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装/尺寸：0603（1608 公制）
温度系数：0 ±30 ppm/K
绝缘电阻：≥ 100,000 MΩ 或 R × C ≥ 10,000 s
耗散因数（DF）：≤ 0.1%
应用等级：工业级、汽车级
EMI 抑制功能：支持
安装类型：表面贴装（SMD）
B82496C3680G000 电容器采用 C0G（即 NP0）类温度补偿型陶瓷介质，具有极高的电容稳定性，其电容值随温度、电压和时间的变化几乎可以忽略不计。这种材料特性使得该器件非常适合用于对频率稳定性要求极高的谐振电路、滤波器、振荡器和定时电路中。C0G 介质的非铁电性结构避免了像 X7R 或 Y5V 材质那样的电容压缩效应，在整个工作电压范围内都能维持标称电容值不变。此外，该电容器的超低耗散因数（DF ≤ 0.1%）显著降低了在高频应用中的能量损耗和温升，提升了系统整体效率。
该器件具备 500V 的高直流额定电压，结合仅 ±0.1pF 的严格容差，使其成为精密高压耦合、阻抗匹配和 RF 功放输出匹配网络的理想选择。其 0603 小型化封装在保证高性能的同时实现了空间优化，适用于现代紧凑型电子设备的设计需求。得益于 EPCOS 先进的端接技术和内部电极设计，B82496C3680G000 还表现出优异的抗热冲击能力和焊接可靠性，能够承受多次回流焊过程而不影响性能。该产品通过 AEC-Q200 汽车级认证，可在极端温度循环、湿度和振动环境下稳定运行，适用于车载信息娱乐系统、ADAS 传感器模块和车身控制单元等应用场景。
在 EMI 抑制方面，该电容器展现出卓越的高频噪声旁路能力，能有效滤除 GHz 范围内的射频干扰，常用于高速数字电路、开关电源输入/输出端以及射频前端模块的去耦设计。其稳定的阻抗-频率响应曲线确保在整个目标频段内提供一致的滤波效果，避免了因寄生电感或共振引起的性能下降问题。此外，产品符合 RoHS 和 REACH 环保标准，不含卤素，支持绿色制造流程。
B82496C3680G000 主要应用于需要高精度、高稳定性和高频性能的电子系统中。典型用途包括射频识别（RFID）读写器、无线通信基站、微波雷达模块、卫星通信设备以及测试与测量仪器中的高频滤波和阻抗匹配电路。在工业领域，它被广泛用于 PLC 控制器、伺服驱动器和高频逆变电源中的去耦与噪声抑制。在汽车电子方面，该电容器可用于车载导航系统、远程信息处理单元（Telematics）、毫米波雷达和高级驾驶辅助系统（ADAS）的射频前端，提供可靠的信号完整性保障。此外，在医疗成像设备、工业传感器和精密仪器中，由于其低失真和高线性度特性，也被用于关键的模拟信号路径中，如 ADC/DAC 缓冲电路和时钟生成单元。其高耐压和小型化特点也使其适用于 LED 驱动电源和光伏逆变器中的跨接滤波设计。
GRM188C71H6R8D01D
CC0603JRNPO9BN6R8
CL21A680JBANNNC
C2012X5R1H6R8W
