时间：2025/5/30 17:26:46
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RHTVSHF018N20-3L是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该型号采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点。其封装形式为TO-252(DPAK)，适合表面贴装技术(SMT)应用，能够显著提升电路效率并减少热量损耗。
该器件属于N沟道增强型MOSFET，通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流流动。由于其优秀的电气特性和可靠性，RHTVSHF018N20-3L在工业控制、消费电子以及通信设备中有着广泛的应用场景。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：18A
导通电阻：6.5mΩ
栅极电荷：19nC
总电容：480pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-252(DPAK)
功耗：13W
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用场合。
3. 优异的热稳定性，在高温环境下依然保持可靠的性能。
4. 耐雪崩能力较强，能够承受一定的过载情况。
5. 小型化封装设计，便于集成到紧凑型电路板中。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
7. 宽泛的工作温度范围，适应多种恶劣环境条件。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 充电器和适配器中的功率管理单元。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输组件。
7. 通信基站中的高效功率放大模块。
IRF2807ZPBF, FDP55N20D, STP18NF06L
