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RHTVSHF018N20-3L 发布时间 时间:2025/5/30 17:26:46 查看 阅读:6

RHTVSHF018N20-3L是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该型号采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点。其封装形式为TO-252(DPAK),适合表面贴装技术(SMT)应用,能够显著提升电路效率并减少热量损耗。
  该器件属于N沟道增强型MOSFET,通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流流动。由于其优秀的电气特性和可靠性,RHTVSHF018N20-3L在工业控制、消费电子以及通信设备中有着广泛的应用场景。

参数

最大漏源电压:200V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:6.5mΩ
  栅极电荷:19nC
  总电容:480pF
  工作温度范围:-55℃ to 175℃
  封装形式:TO-252(DPAK)
  功耗:13W

特性

1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 优异的热稳定性,在高温环境下依然保持可靠的性能。
  4. 耐雪崩能力较强,能够承受一定的过载情况。
  5. 小型化封装设计,便于集成到紧凑型电路板中。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
  7. 宽泛的工作温度范围,适应多种恶劣环境条件。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 各类负载开关和保护电路。
  5. 充电器和适配器中的功率管理单元。
  6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输组件。
  7. 通信基站中的高效功率放大模块。

替代型号

IRF2807ZPBF, FDP55N20D, STP18NF06L

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