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B82477R4473M100 发布时间 时间:2025/12/27 11:55:07 查看 阅读:56

B82477R4473M100是TDK公司生产的一款高性能多层陶瓷电容器(MLCC),属于EPCOS品牌系列。该器件主要用于需要高稳定性和低损耗的电子电路中,特别适用于工业电源、通信设备以及汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。这款电容采用先进的陶瓷材料和制造工艺,具备优异的温度稳定性、高频特性和长期可靠性。其标称电容值为47nF(即47000pF),额定电压为100V DC,符合X7R电介质特性,意味着在-55°C至+125°C的工作温度范围内,电容值的变化不超过±15%。这种稳定性使其成为去耦、滤波、旁路和信号耦合等电路中的理想选择。
  B82477R4473M100采用标准的表面贴装封装形式,具体尺寸为1210(3225公制单位),便于自动化贴片生产,提高组装效率并降低制造成本。该器件符合RoHS环保标准,并通过了AEC-Q200认证,适合用于汽车级应用环境。此外,该电容器具有较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),有助于提升电源系统的响应速度和稳定性,尤其在开关电源和DC-DC转换器中表现突出。TDK作为全球领先的电子元器件制造商,为其产品提供了严格的质量控制和长期供货保障,使得B82477R4473M100在高端电子设备中广泛应用。

参数

型号:B82477R4473M100
  品牌:TDK / EPCOS
  电容值:47nF (47000pF)
  容差:±20%
  额定电压:100V DC
  电介质类型:X7R
  封装尺寸:1210 (3.2 x 2.5 mm)
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  温度特性:ΔC/C ≤ ±15% (-55°C 至 +125°C)
  绝缘电阻:≥ 1000 MΩ 或 RC ≥ 100 s(取较大者)
  耐压:150V AC / 300V DC(短时)
  等效串联电阻(ESR):典型值低于 100 mΩ(取决于频率)
  等效串联电感(ESL):典型值约 1.5 nH
  老化率:≤ ±2.5% / decade(在 +25°C 下)
  结构:多层陶瓷电容器(MLCC)
  端接类型:镍/锡镀层(Ni/Sn),适合回流焊
  符合标准:IEC 60384-8/9, AEC-Q200, RoHS 指令

特性

B82477R4473M100具备出色的电气性能与机械稳定性,其核心优势之一是采用了X7R型电介质材料,这种材料在宽温度范围内保持良好的电容稳定性,即使在极端环境下也能确保电路正常运行。相比于Z5U或Y5V类电容,X7R介质具有更小的容量漂移和更低的非线性失真,适用于对精度有一定要求但又不需要NP0/C0G级别的应用场景。
  该器件的1210封装形式在体积与功率处理能力之间实现了良好平衡,既节省PCB空间,又能承受一定的纹波电流,适合中等功率电源线路使用。其低ESR和低ESL特性有效减少了高频下的能量损耗和噪声积累,在高速数字系统中可显著改善电源完整性(Power Integrity)。
  由于采用多层结构设计,内部多个陶瓷-金属电极交替堆叠,极大提升了单位体积的电容密度,同时增强了抗机械应力的能力,降低了因热膨胀不均导致的裂纹风险。该电容器经过严格的湿度敏感度等级(MSL 1)测试,可在高温高湿环境中长期可靠工作。
  此外,B82477R4473M100通过AEC-Q200认证,表明其满足汽车电子元器件的严苛可靠性要求,包括寿命测试、温度循环、耐湿性、焊接耐热性等项目,因此广泛应用于车载信息娱乐系统、ADAS模块、车身控制单元等领域。其端电极采用三层端子结构(Cu/Ni/Sn),增强了可焊性和抗腐蚀性,支持无铅回流焊接工艺,适应现代绿色制造需求。整体而言,该器件结合高性能、高可靠性和工业兼容性,是中高压、中容量应用中的优选方案。

应用

B82477R4473M100广泛应用于多种高性能电子系统中。在工业电子领域,常用于开关电源(SMPS)的输入输出滤波电路、逆变器和UPS电源中的去耦网络,以抑制电磁干扰并稳定电压输出。在通信设备中,该电容可用于基站射频模块、光模块和路由器的电源管理部分,提供稳定的局部储能并减少高频噪声对敏感电路的影响。
  在汽车电子方面,得益于其AEC-Q200认证和宽温工作能力,该器件被大量用于发动机控制单元(ECU)、车载充电机(OBC)、电池管理系统(BMS)以及LED照明驱动电路中,承担电源旁路和噪声滤除功能。其稳定的X7R特性确保在冷启动或高温运行条件下电容值不会发生剧烈变化,从而维持系统稳定性。
  此外,在医疗仪器、测试测量设备和消费类高端电子产品中,该电容器也常用于模拟前端信号耦合、ADC/DAC参考电压旁路以及DC-DC转换器的输出滤波环节。由于其良好的高频响应特性,还能在高速数字电路中作为局部去耦电容,降低地弹和电源反弹现象,提升系统抗扰度。总体来看,该器件适用于任何需要在100V工作电压下实现47nF稳定电容值的应用场景,尤其是在对寿命、可靠性和环境适应性有较高要求的场合表现尤为出色。

替代型号

C3225X7R1H473M

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B82477R4473M100参数

  • 标准包装1
  • 类别电感器,线圈,扼流圈
  • 家庭固定式
  • 系列B82477R4
  • 电感47µH
  • 电流3.2A
  • 电流 - 饱和4.9A
  • 电流 - 温升-
  • 类型铁氧体芯体
  • 容差±20%
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻(DCR)最大 60 毫欧
  • Q因子@频率-
  • 频率 - 自谐振-
  • 材料 - 芯体铁氧体
  • 封装/外壳0.492" L x 0.492" W x 0.335" H(12.50mm x 12.50mm x 8.50mm)
  • 安装类型表面贴装
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-
  • 频率 - 测试100kHz
  • 其它名称495-4544-6