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B82477G4472M 发布时间 时间:2025/12/27 11:49:34 查看 阅读:16

B82477G4472M是EPCOS(现为TDK Electronics)生产的一款高性能多层陶瓷电容器(MLCC),主要用于电源管理、滤波和去耦等应用。该器件属于爱普科斯G4系列,具有高电容值、低等效串联电阻(ESR)和优良的高频特性,适用于要求严苛的工业、汽车和通信电子系统。B82477G4472M采用标准贴片封装,便于自动化装配,并具备良好的机械稳定性和热稳定性。该电容器设计用于在宽温度范围内保持稳定的电气性能,符合现代高密度电路板对小型化和高可靠性的需求。其介质材料采用X7R或类似温度特性陶瓷,确保在-55°C至+125°C的工作温度区间内,电容值变化不超过±15%。此外,该型号通过了AEC-Q200等汽车级认证,适合在高温、高湿、振动等恶劣环境下长期运行。整体结构采用镍阻挡层端接电极,增强了抗焊料侵蚀能力和耐焊接热性能,提高了产品在回流焊过程中的可靠性。B82477G4472M广泛应用于DC-DC转换器输入输出滤波、FPGA和ASIC供电旁路、服务器电源模块及车载信息娱乐系统中。

参数

型号:B82477G4472M
  电容值:4.7μF
  额定电压:50V
  电容公差:±20%
  温度特性:X7R(-55°C 至 +125°C,ΔC/C ≤ ±15%)
  封装尺寸:1210(3225公制)
  长度:3.2mm
  宽度:2.5mm
  高度:最大2.0mm
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  等效串联电阻(ESR):典型值约10mΩ(频率相关)
  纹波电流能力:依据应用条件而定
  介质材料:钡钛酸盐基陶瓷
  端接类型:镍阻挡层/锡涂层(Ni/Sn)
  符合RoHS指令:是
  符合AEC-Q200:是

特性

B82477G4472M作为一款高端多层陶瓷电容器,具备多项优异的技术特性,使其在复杂电路环境中表现出色。首先,其采用X7R类陶瓷介质材料,能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内维持电容值的稳定性,偏差控制在±15%以内,这对于需要在极端环境温度下工作的工业控制设备和汽车电子尤为重要。其次,该电容器具有较高的体积效率,在1210(3225)的小型封装内实现了4.7μF的大容量,满足现代电子产品对高集成度和小型化的需求。这种高密度设计得益于先进的叠层工艺和薄层介质技术,使得单位体积内的电极层数显著增加,从而提升总电容值。
  另一个关键特性是其低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL),这使其在高频去耦和电源滤波应用中表现卓越。低ESR有助于减少功率损耗和发热,提高电源系统的整体效率,尤其适用于高频开关电源如DC-DC转换器的输入输出滤波环节。同时,低ESL增强了其对高频噪声的抑制能力,能有效滤除MHz级别的干扰信号,保障敏感数字电路(如处理器、内存接口)的稳定运行。
  该器件还具备出色的机械和热可靠性。其端电极为镍阻挡层加锡涂层结构,能够有效防止铜扩散和焊料侵蚀,提升焊接后的长期稳定性。此外,该结构可承受多次回流焊过程,适用于无铅焊接工艺,符合现代环保制造要求。产品通过AEC-Q200汽车级可靠性认证,表明其在温度循环、湿度寿命、机械冲击和振动等测试中均达到严格标准,适合用于发动机舱附近或车载电源系统等严苛应用场景。
  最后,B82477G4472M具有良好的直流偏压特性。尽管X7R材料会随着施加电压升高而出现电容下降现象,但该型号通过优化介质配方和内部电极设计,尽可能减缓了这一效应,在50V额定电压下仍能保持较高有效电容,确保在实际工作条件下性能不大幅衰减。综上所述,这些特性共同构成了B82477G4472M在高性能电子系统中的核心竞争力。

应用

B82477G4472M广泛应用于多个高要求的电子领域,尤其适合需要高可靠性、大容量和良好高频响应的场合。在电源管理系统中,它常被用作DC-DC转换器的输入和输出滤波电容,其低ESR和高纹波电流承受能力可有效平滑电压波动,降低输出噪声,提高转换效率。在复杂的数字系统中,如FPGA、ASIC和高性能微处理器的供电网络(PDN)中,该电容器作为去耦元件,紧邻芯片电源引脚布置,用于吸收瞬态电流尖峰,稳定供电电压,防止因电源扰动导致的逻辑错误或系统复位。
  在汽车电子方面,由于该型号通过AEC-Q200认证并支持宽温工作,因此广泛用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块、车身控制单元和车载充电机(OBC)等。其在高温环境下的稳定性确保了车辆在极端气候条件下的正常运行。此外,在工业自动化设备中,如PLC控制器、伺服驱动器和工业HMI面板中,B82477G4472M用于电源滤波和信号调理电路,提升系统抗干扰能力和运行可靠性。
  通信基础设施也是其重要应用领域之一。在基站射频模块、光模块电源和网络交换设备中,该电容器用于稳定低压电源轨,抑制高频噪声传播,保障高速数据传输的完整性。同时,因其符合RoHS环保标准,适用于出口型高端电子设备的制造。总之,B82477G4472M凭借其综合性能优势,成为多种严苛应用环境下的首选MLCC解决方案。

替代型号

GRM32ER7EA50V476ME12
  CL31A476MPHNNNE
  C322C476MKG5TA

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B82477G4472M参数

  • 标准包装1
  • 类别电感器,线圈,扼流圈
  • 家庭固定式
  • 系列B82477G4
  • 电感4.7µH
  • 电流6.8A
  • 电流 - 饱和8.6A
  • 电流 - 温升-
  • 类型铁氧体芯体
  • 容差±20%
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻(DCR)最大 14 毫欧
  • Q因子@频率-
  • 频率 - 自谐振-
  • 材料 - 芯体铁氧体
  • 封装/外壳0.504" L x 0.504" W x 0.315" H(12.80mm x 12.80mm x 8.00mm)
  • 安装类型表面贴装
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-
  • 频率 - 测试100kHz
  • 其它名称495-1821-6