电容值：56 pF
　　容差：±20%
　　额定电压：100 V DC
　　温度特性：NPO（C0G）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0805（2.0 mm x 1.25 mm）
　　介质材料：C0G（NPO）
　　直流偏压特性：无容量随电压变化
　　老化率：≤0.1% / decade
　　等效串联电阻（ESR）：典型值小于100 mΩ
　　自谐振频率（SRF）：典型值高于1.5 GHz
　　质量因子（Q）：在1 GHz下 ≥ 1000
　　电容温度系数：0 ±30 ppm/K
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　焊接方式：回流焊兼容
　　抗湿性：符合IEC 61249-2-21标准
　　耐焊接热：符合IEC 60068-2-57

B82472G4563M000具备卓越的高频性能，得益于其采用C0G（NPO）类电介质材料，这种材料在宽频率和温度范围内表现出极高的电容稳定性。无论是在低温-55°C还是高温+125°C环境下，其电容值的变化几乎可以忽略不计，温度系数仅为0±30ppm/K，确保了在极端环境下的可靠运行。这一特性使其特别适用于需要精密调谐和频率稳定的应用场景，如压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）和带通滤波器等电路中。
　　该器件的高Q值是其另一大亮点，在1GHz频率下Q值可达1000以上，意味着其能量损耗极低，有助于提升射频链路的整体效率并减少发热问题。同时，由于其极低的等效串联电阻（ESR）和合理的等效串联电感（ESL），B82472G4563M000能在高频下维持接近理想电容器的行为，有效避免因寄生参数引起的性能下降。其自谐振频率（SRF）通常高于1.5GHz，确保在大多数UHF和L-band应用中仍处于容性区，不会引入感性失配。
　　结构上，该MLCC采用多层叠片式设计，内部电极为贵金属材料（如银钯合金），具有优异的导电性和抗氧化能力，提升了长期使用的稳定性。外电极经过三层电极结构处理（镍阻挡层+锡覆盖层），增强了可焊性和抗机械应力能力，适用于自动化贴片生产线。产品通过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环（TC）、寿命试验等，符合工业和汽车电子的严苛要求。
　　此外，该电容器无直流偏压依赖性，即施加电压不会导致容量下降，这一点显著优于X7R、X5R等高介电常数材料制成的电容。结合其±20%的容差（虽较窄公差产品略宽，但在高频应用中已足够），B82472G4563M000在成本与性能之间实现了良好平衡，成为许多高端射频设计中的首选元件。

B82472G4563M000广泛应用于高频和射频电子系统中，尤其适用于对电容稳定性和低损耗有严格要求的场合。常见用途包括无线通信基础设施中的基站射频前端模块，用于实现阻抗匹配网络和LC滤波器，以优化信号传输效率并抑制杂散发射。在移动终端设备如智能手机和平板电脑中，该电容器可用于Wi-Fi、蓝牙和GPS频段的天线调谐电路，确保不同频段间的高效切换和接收灵敏度。
　　在雷达与卫星通信系统中，B82472G4563M000因其出色的相位稳定性和低噪声特性，被用于构建高性能振荡器和混频器电路，保障信号的精确生成与处理。此外，在测试与测量仪器（如频谱分析仪、网络分析仪）内部的校准电路和参考路径中，该器件可提供长期稳定的电容基准，防止测量漂移。
　　汽车电子领域也是其重要应用场景之一，尤其是在高级驾驶辅助系统（ADAS）所使用的毫米波雷达模块中，该电容参与构成77GHz前端电路的匹配网络，必须在振动、温变剧烈的环境中保持性能不变。由于符合AEC-Q200标准，其可靠性得到了充分验证。工业物联网（IIoT）节点、远程传感器和RFID读写器等低功耗无线设备也常采用此类电容，以延长电池寿命并提升通信距离。总之，凡是涉及GHz以下高频模拟信号处理的地方，B82472G4563M000都是一种值得信赖的核心无源元件。

GRM21BR71H560KA98L
　　CC0805JRNPO9BN560
　　C2012X5S1H560K125AA
　　CL21A560JBANNNC