类型：N 沟道 MOSFET 模块
　　最大漏源电压（VDS）：800 V
　　最大漏极电流（ID）：50 A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 0.16 Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：模块化封装（绝缘型）
　　栅极驱动电压：10V 至 20V 推荐
　　功耗（Ptot）：400W（典型值）

VUO50-16N08 拥有卓越的导通性能和低开关损耗，使其非常适合高频开关应用。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流下仍能保持较低的导通压降，从而提升整体系统效率。
　　该器件采用模块化封装，具备良好的散热能力和绝缘性能，适合用于高压、高功率密度的电源系统中。此外，其高电流承载能力和耐用性使其在电动车辆和工业电机控制中表现出色。
　　此 MOSFET 还具备高抗短路能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击，提高系统的稳定性和可靠性。其栅极驱动电路设计简单，兼容常见的驱动器方案，降低了系统设计的复杂度。
　　此外，VUO50-16N08 还具有出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于对散热要求较高的应用场合。

VUO50-16N08 广泛应用于高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括不间断电源（UPS）、工业电机驱动、电动车辆（如电动叉车和电动汽车）的功率转换系统、太阳能逆变器、储能系统以及高功率 DC-DC 转换器。
　　由于其具备高耐压和大电流能力，该器件在工业自动化和智能电网设备中也扮演着重要角色。在 UPS 系统中，VUO50-16N08 被用于实现高效的能量转换和快速的负载切换；在电动汽车中，它常用于电机控制器和车载充电器系统。
　　此外，该器件还适用于需要高绝缘等级和高效率的电源系统，例如焊接设备、电镀电源和测试设备。

VUO50-16NO8、VUO50-16NM8、VUO75-16NO8