电容值：22 nF
　　容差：±10%
　　额定电压：1000 V DC
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1812（4532 公制）
　　介质材料：陶瓷
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　电介质类型：Class II
　　最大工作电压：1000 V DC
　　温度系数：±15% over temperature range
　　绝缘电阻：≥10000 MΩ 或 ≥100 s at 25°C
　　老化率：≤2.5% per decade hour

B82442A1223K 多层陶瓷电容器具有出色的电气稳定性和机械可靠性，是工业级高压应用的理想选择。其核心特性之一是高额定电压能力，达到 1000 V DC，使其能够在高压电源线路、DC-Link 电路以及逆变器系统中安全运行。在这些环境中，电容器需要承受瞬态过压和持续高压应力，而该器件通过优化内部电极结构和陶瓷介质层厚度，实现了优异的耐压能力和抗电弧性能。同时，其 22 nF 的标称电容值在同类高压 MLCC 中处于主流范围，能够有效支持滤波和能量缓冲功能。
　　该器件采用 X7R 类陶瓷介质，这类材料属于 Class II 电介质，具备较高的介电常数，从而在有限封装尺寸内实现较大的电容密度。尽管其电容值随温度、电压和时间存在一定变化，但 X7R 材料在 -55°C 到 +125°C 范围内的电容变化被严格控制在 ±15% 以内，这对于大多数非精密模拟电路和数字电源系统而言是可以接受的。此外，该电容器的老化行为稳定，典型老化率为每十倍时长下降 2.5%，用户可通过定期校准或设计余量来补偿这一效应。
　　在机械和工艺方面，B82442A1223K 采用 1812 封装（即 4.5 mm × 3.2 mm），提供足够的焊盘面积以确保良好的焊接可靠性和热传导性能。该封装形式适用于自动化贴片生产线，并支持回流焊接工艺。器件本身无铅且符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适合在全球范围内推广使用。其高绝缘电阻（通常大于 10,000 MΩ）意味着漏电流极小，在高压直流系统中可显著降低静态功耗和热积累风险。
　　该电容器还表现出良好的抗湿性和化学稳定性，外层采用三层端接结构（Copper base / Ni barrier / Sn finish），增强了对环境应力的抵抗能力，防止因潮气渗透或硫化导致的性能退化。这种设计特别适用于户外设备、工业电机驱动器和不间断电源（UPS）等严苛工作环境中的长期运行。综合来看，B82442A1223K 在高压、高温和高可靠性需求之间取得了良好平衡，是现代电力电子系统中不可或缺的关键元件之一。

B82442A1223K 主要应用于需要高电压稳定性和长期可靠性的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的跨线滤波和去耦电路，尤其在 AC-DC 和 DC-DC 转换器中用于平滑高压总线电压。其高耐压特性使其适合用作逆变器中的 DC-Link 电容器，用于缓冲来自整流桥的脉动电压并为后续功率级提供稳定的直流输入。此外，在工业电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电模块中，该电容器可用于吸收电压尖峰和抑制电磁干扰（EMI），从而提高系统整体效率和安全性。
　　在通信基础设施领域，如基站电源单元和光模块供电电路中，B82442A1223K 可作为旁路电容，稳定高压偏置线路，减少噪声对敏感信号路径的影响。其快速响应特性和低等效串联电感（ESL）使其在高频开关环境下仍能保持良好滤波效果。在测试与测量设备、医疗电源以及航空航天电子系统中，该器件因其高可靠性和一致性而被广泛采用，特别是在需要通过严格安全认证（如 UL、VDE 或 IEC 标准）的应用中。
　　此外，该电容器也可用于谐振电路、定时电路和高压耦合应用中，尤其是在工作温度波动较大的环境中，其 X7R 温度特性保证了电容值不会发生剧烈漂移。对于需要替代电解电容或薄膜电容以节省空间的设计，B82442A1223K 提供了一种紧凑、轻量且免维护的解决方案。随着电力电子系统向更高集成度和更高效率发展，此类高压 MLCC 的重要性日益凸显，成为现代高端电子设备中不可或缺的核心无源元件之一。

B82442A1223M
　　B82442A1223J
　　Q224Z1000KJLW
　　CC1812KRX7R1A223
　　ERA3AUF2201V