制造商：TDK Corporation
　　品牌：EPCOS
　　产品类型：陶瓷电容器
　　电容：1.5 pF
　　容差：±0.1 pF
　　电压 - 额定DC：100 V
　　温度系数：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装/外壳：0805（2012 公制）
　　高度：最大 1.25 mm
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　介质材料：Ceramic (C0G/NP0)
　　最小包装数量：500 pcs
　　产品系列：B82442
　　失效率：Non-Automotive Grade
　　包装类型：卷带（Tape and Reel）

B82442A1155J采用C0G（即NP0）类电介质材料，这种材料具有极其稳定的电气特性，其电容值在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）的变化不超过±30ppm/°C，确保了在极端环境条件下仍能维持精确的电容性能。这一特性使其特别适用于高频谐振电路、匹配网络和滤波器设计中，其中任何微小的电容漂移都可能影响系统性能。相比X7R、Y5V等高介电常数但温度稳定性较差的介质材料，C0G材质虽然介电常数较低导致单位体积电容较小，但其卓越的稳定性使其成为精密模拟和射频应用中的首选。
　　该器件具备非常低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而实现了高自谐振频率和高Q值（品质因数），有效降低了在高频工作时的能量损耗和发热问题。这对于射频功率放大器输出匹配、天线调谐电路以及LC振荡器尤为重要。同时，低损耗特性也意味着更高的信号完整性和更少的相位噪声，提升了通信系统的接收灵敏度和发射效率。
　　结构上，B82442A1155J采用多层陶瓷叠层技术制造，内部电极交替排列并烧结成一体，形成高度可靠的物理结构。其端电极经过特殊处理，具备良好的可焊性和抗迁移能力，能够在多次热循环和机械应力下保持连接可靠性。此外，该电容器通过了严格的可靠性测试，包括高温储存寿命试验、温度循环试验和耐湿性测试，确保长期使用的稳定性。由于其非铁电性介质，不存在老化现象，电容值不会随时间推移而下降，这进一步增强了其在关键应用场景中的可信度。

B82442A1155J因其出色的电气稳定性和高频性能，被广泛应用于各类对精度和可靠性要求较高的电子系统中。在无线通信领域，它常用于射频前端模块中的阻抗匹配网络、天线调谐电路和滤波器设计，帮助优化信号传输效率并减少反射损耗。例如，在蜂窝基站、Wi-Fi路由器、蓝牙模块和物联网设备中，该电容器能够确保射频链路的稳定性与一致性。
　　在振荡器电路中，如晶体振荡器或压控振荡器（VCO），B82442A1155J用于负载电容配置，其高度稳定的电容值可显著提高频率精度和温度稳定性，避免因环境变化引起的频率偏移，从而保障时钟信号的准确性。这类应用常见于精密计时设备、数据采集系统和同步通信网络。
　　此外，该器件也适用于高精度模拟信号处理电路，如有源滤波器、积分器和采样保持电路，在这些电路中电容值的微小波动都会直接影响输出精度。医疗电子设备、测试测量仪器和工业传感器系统往往依赖此类高性能电容器来实现可靠的数据采集与信号调理。
　　在航空航天和国防电子系统中，B82442A1155J也被用于雷达信号处理、导航系统和卫星通信终端，因其能够在恶劣环境下保持性能稳定而受到青睐。总之，凡是对电容稳定性、温度特性和高频响应有严苛要求的应用场景，B82442A1155J都是理想的选择。

C1608C0G1H1R5D
　　CC04C0G1H1R5D
　　GCM155C71H1R5D