电容值：6.8nF
　　容差：±10%
　　额定电压：1000V DC
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：C0G（NP0）
　　封装尺寸：1812（4532公制）
　　介质材料：陶瓷（Class I, C0G/NP0）
　　绝缘电阻：≥10000 MΩ 或 RC ≥ 1000 s（取较小值）
　　最大耗散因数（tanδ）：≤0.15%
　　耐电压：1500V AC（50/60Hz，1分钟）
　　老化率：0%/decade（C0G材质无老化）

B82432T1682K000采用C0G（也称NP0）型陶瓷介质，属于I类多层陶瓷电容器，具有极其稳定的电气性能。其最显著的特性是在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）电容值变化极小，通常不超过±30ppm/°C，远优于X7R、Y5V等II类或III类介质材料。这种温度稳定性使得该电容器非常适合用于对频率稳定性要求极高的振荡器、定时电路和精密滤波器中。由于C0G材料本质上是非铁电性的，因此不会出现电压系数导致的电容下降现象，即使在接近额定电压下工作，其电容值仍能保持恒定。
　　该器件具备高达1000V DC的额定电压，在1812封装尺寸内实现了较高的电压耐受能力，得益于优化的内部电极结构和高质量陶瓷层压工艺，有效避免了局部放电和介质击穿风险。同时，其低等效串联电阻（ESR）和极低的介质损耗（典型tanδ ≤ 0.15%）使其在高频开关电路中表现出色，能够有效抑制热量积累，提升整体系统效率。此外，该电容器具有出色的抗湿性和长期稳定性，经过严格的高温高湿偏压测试（如85°C/85%RH），确保在恶劣环境中长期运行不失效。
　　B82432T1682K000还具备良好的机械强度和抗热冲击能力，在回流焊过程中能承受多次热循环而不产生裂纹。其端电极为全镍阻挡层加锡镀层结构，符合现代SMT工艺要求，支持无铅焊接流程。该器件无磁性，适用于敏感电磁环境下的应用。综合来看，B82432T1682K000是一款集高电压、高稳定性、低损耗和高可靠性于一体的高端MLCC，特别适合用于工业电源、医疗成像设备、射频匹配网络以及新能源逆变器中的关键信号耦合与滤波环节。

B82432T1682K000因其高电压耐受能力和卓越的电容稳定性，广泛应用于多个高要求的技术领域。在工业电子中，它常用于开关电源（SMPS）的谐振转换器拓扑（如LLC半桥或全桥电路）中作为谐振电容，参与能量传输与频率控制，确保系统高效稳定运行。其低损耗特性有助于降低温升，延长电源模块寿命。在功率因数校正（PFC）电路中，该电容器可用于电压采样或滤波环节，保证控制精度和系统安全性。
　　在新能源领域，尤其是在太阳能逆变器和风力发电变流器中，B82432T1682K000被用作直流链路滤波或辅助电源滤波元件，承担高压旁路和噪声抑制功能。由于其可在宽温范围内稳定工作，适应户外极端气候条件，因此在光伏电站监控单元和储能系统接口板上也有广泛应用。
　　在医疗设备方面，如CT扫描仪、X光机和超声波成像系统中，该电容器用于高压脉冲生成电路或隔离级耦合电路，提供可靠的信号传输路径。其非磁性特点避免干扰敏感成像组件，满足医疗EMC标准要求。
　　此外，在通信基础设施中，该器件可用于射频功放模块的偏置去耦和阻抗匹配网络，特别是在基站PA级间耦合电路中，利用其稳定的电容值维持频率响应一致性。在测试与测量仪器中，如示波器、信号发生器等精密设备中，B82432T1682K000用于时钟基准电路和积分器单元，保障测量精度不受温度漂移影响。

B82432A1682K000
　　B82432T1682M000
　　CC1812KRX7R10B682
　　GRM450CA01A682J