时间：2025/12/27 11:40:29
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B82432T1473K 是由 TDK 公司生产的一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC），专为高频率和高可靠性应用设计。该器件属于 EPCOS 品牌系列，广泛应用于工业、汽车电子以及通信设备中。B82432T1473K 采用先进的陶瓷材料和制造工艺，具有优异的电气性能和温度稳定性。其标称电容值为 47nF（即 47000pF），电容公差为 ±10%，适用于需要精确电容匹配和长期稳定性的电路环境。该 MLCC 使用 X7R 介电材料，这种材料在 -55°C 至 +125°C 的宽温度范围内能够保持电容变化不超过 ±15%，因此非常适合在温度波动较大的环境中使用。封装尺寸为 1812（4532 公制代码），即长度约为 4.5mm，宽度约为 3.2mm，适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和回流焊接。额定电压为 100V DC，使其能够在中高压直流电路中安全运行，例如电源滤波、DC-Link 电路或信号耦合路径中。此外，该电容器具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），有助于减少高频下的能量损耗和噪声干扰，提高系统效率与电磁兼容性（EMC）。B82432T1473K 还符合 RoHS 指令要求，不含铅和其他有害物质，支持绿色环保设计理念。由于其高可靠性和稳定的电气特性，这款电容器常被用于电动汽车充电系统、工业电机驱动器、太阳能逆变器、医疗设备及高端消费类电子产品中作为去耦、旁路或储能元件。
型号：B82432T1473K
品牌：TDK/EPCOS
电容值：47nF
电容公差：±10%
介电材料：X7R
额定电压：100V DC
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
温度特性：±15% within rated temperature range
封装尺寸：1812 (4532)
安装类型：表面贴装（SMD）
产品系列：B82432
RoHS 状态：符合
B82432T1473K 采用 X7R 类陶瓷介质，具备出色的温度稳定性与电容保持能力，在 -55°C 到 +125°C 的整个工作温度区间内，电容值的变化控制在 ±15% 以内，这使得它在面对极端环境条件时仍能维持电路性能的一致性。相较于 Y5V 或 Z5U 等介电类型的电容器，X7R 材料在温度变化下表现出更小的非线性漂移，因而更适合对精度有较高要求的应用场景。该器件通过多层叠层结构实现高电容密度，在相对紧凑的 1812 封装中实现了 47nF 的较大电容量，满足现代电子设备对小型化与高性能并重的需求。其内部电极采用贵金属材料（如镍或钯银合金）制成，具有良好的导电性和抗氧化能力，确保长期使用的电气连接可靠性。低 ESR 和低 ESL 特性使其在高频开关电源中表现优异，可有效抑制电压纹波和瞬态干扰，提升系统的动态响应能力。同时，该电容器具备较强的耐电压冲击能力和良好的绝缘电阻，典型绝缘电阻值可达数千兆欧姆以上，保障了在高压应用中的安全性。机械强度方面，B82432T1473K 经过优化设计以抵抗热循环和机械应力引起的裂纹风险，尤其在 PCB 弯曲或温度快速变化的情况下仍能保持完整性。此外，该产品经过严格的可靠性测试，包括高温存储、湿热偏压、温度循环等实验，确保其在汽车级或工业级应用场景下的长期稳定性。整体而言，B82432T1473K 是一款兼具高性能、高可靠性和环保合规性的多层陶瓷电容器，适用于多种严苛工作环境。
该电容器广泛应用于需要高稳定性和宽温特性的电子系统中，典型用途包括工业自动化设备中的电源去耦与滤波电路、可再生能源系统（如光伏逆变器和风力发电控制器）中的 DC-Link 支撑电容、电动汽车车载充电机（OBC）和 DC/DC 转换模块中的中间电路滤波。此外，由于其良好的高频响应特性，B82432T1473K 也常用于通信基础设施设备中，如基站射频模块的耦合与旁路电路，帮助提升信号完整性和抗干扰能力。在医疗电子领域，因其高可靠性与长寿命特性，可用于监护仪、成像设备等关键系统的电源管理单元。同时，在高端消费类电子产品中，例如大功率 LED 驱动电源或音响功放电路中，也可作为滤波和退耦元件使用。由于符合 AEC-Q200 汽车电子元器件认证标准（视具体批次而定），该型号也被广泛采纳于汽车电子控制系统中，如发动机控制单元（ECU）、车身电子模块和信息娱乐系统中，承担去耦、噪声抑制和瞬态保护功能。其 SMD 封装形式支持自动化贴片生产，适用于大规模制造流程，进一步增强了其在各类批量电子产品中的适用性。
C3216X7R1H473K
