时间：2025/12/27 12:11:49
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B82432T1182K000是EPCOS（现属于TDK集团）生产的一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC），专为高频率、高稳定性和低损耗应用设计。该器件采用紧凑的表面贴装技术（SMT）封装，适用于现代电子设备对小型化和高可靠性的需求。B82432T1182K000属于C0G（NP0）电介质系列，具有极佳的温度稳定性，电容值在整个工作温度范围内几乎不随温度变化而变化，因此特别适合用于需要精确电容值的谐振电路、滤波器和定时电路中。该电容器广泛应用于通信设备、射频模块、工业控制系统以及医疗电子等领域。其高Q值和低等效串联电阻（ESR）使其在高频条件下仍能保持优异的性能表现，同时具备良好的抗老化特性和长期稳定性。此外，该器件符合RoHS环保要求，并通过了AEC-Q200等可靠性认证，适用于严苛的工作环境。
产品类型：陶瓷电容器
电容值：1800pF
容差：±10%
额定电压：100V
电介质材料：C0G（NP0）
温度系数：0±30ppm/°C
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
引脚数量：2
安装方式：表面贴装（SMD）
最小包装数量：1000只
包装形式：卷带包装
高度：约1.25mm
电阻R：>10000MΩ
时间常数：>100000s
击穿电压：≥250V
B82432T1182K000采用先进的多层陶瓷制造工艺，确保了器件在高频应用中的卓越性能。其C0G（NP0）电介质材料提供了极其稳定的电容特性，电容值在-55°C至+125°C的整个工作温度范围内变化不超过±30ppm/°C，这使得它非常适合用于对频率稳定性要求极高的振荡器、锁相环和射频匹配网络中。该电容器具有非常低的介电损耗（tanδ通常小于0.1%），从而实现了高Q值，有助于减少信号传输过程中的能量损失，提高系统效率。
该器件的结构设计优化了电场分布，有效降低了局部放电风险，并提升了耐压能力和长期可靠性。其100V的额定电压允许在中高压电路中安全使用，而0805的小型封装则有利于节省PCB空间，适应高密度组装需求。此外，B82432T1182K000经过严格的筛选和测试，具备出色的抗湿性、抗机械应力和抗热冲击能力，能够在恶劣环境中稳定运行。产品还支持自动贴片工艺，兼容标准回流焊流程，适合大规模自动化生产。所有材料均符合RoHS指令，并且不含卤素，满足现代绿色电子产品的要求。
B82432T1182K000因其优异的电气性能和环境适应性，被广泛应用于多个高端电子领域。在无线通信系统中，常用于基站RF前端模块、功率放大器偏置电路和天线调谐网络，以确保信号的高保真传输。在工业控制领域，可用于精密传感器信号调理电路和高速数据采集系统的滤波环节。在医疗电子设备中，如超声成像仪和病人监护仪，该电容器可作为关键时钟源或参考频率元件，保障系统的时间精度与稳定性。此外，在汽车电子方面，尽管该型号未专门标注为车规级，但其部分衍生型号已通过AEC-Q200认证，因此在非动力域的车载信息娱乐系统、雷达感应模块和车内通信接口中也有广泛应用。其他应用场景还包括测试测量仪器、航空航天电子系统以及高性能音频设备中的耦合与去耦电路。
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"C1805X7R1H182K080AA",
"B82432A1182K000",
"GRM21BR71H182KA01L",
"CL21A182KBANNNC"
]
