MA16DP21C3 时间：2025/12/27 1:16:28 阅读：18

MA16DP21C3是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用双二极管结构，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器、续流与箝位电路等场景。该器件以其低正向电压降和快速开关特性著称，适用于对效率和响应速度有较高要求的现代电子设备。MA16DP21C3采用紧凑型SOD-123FL封装，具有较小的占板面积和良好的热性能，适合高密度PCB布局。该型号主要面向消费类电子产品、便携式设备及工业控制应用领域。其设计符合RoHS环保标准，并具备较高的可靠性与稳定性，能够在较宽的温度范围内正常工作。由于其优异的电气特性，MA16DP21C3常被用于替代传统快恢复二极管，在降低功耗和提高系统整体效率方面表现突出。此外，该器件对反向漏电流进行了优化控制，在高温环境下仍能保持较好的性能一致性，是许多低电压、高频率电源拓扑中的理想选择之一。

参数

类型：双串联肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：20V
　　最大直流阻断电压（VR）：20V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：15A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向电压（VF）：480mV（在1A条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA（典型值，25°C）、100μA（最大值，125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-123FL
　　引脚数：2
　　极性配置：双串联（Common Cathode）

特性

MA16DP21C3的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，典型值仅为480mV（在1A电流下）。这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了电源系统的整体能效，特别适用于电池供电设备或对能耗敏感的应用场合。由于没有少数载流子的积累效应，该器件具备非常快的开关响应速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计，有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升了电路的动态性能。
　　该器件采用双串联共阴极结构，允许在同一封装内实现两个独立但方向一致的肖特基二极管连接，这种配置常用于全波整流或需要冗余路径的电路设计中，有助于简化PCB布线并节省空间。SOD-123FL封装具有较小的外形尺寸（约2.0mm × 1.25mm × 1.0mm），同时优化了散热路径，使得即使在高电流密度工作条件下也能保持良好的热稳定性。该封装还支持自动化贴片工艺，适合大规模生产使用。
　　MA16DP21C3的工作结温范围达到-55°C至+150°C，表明其不仅能在极端低温环境中启动运行，也能在高温环境下长期稳定工作，适应性强。器件经过严格的老化测试和可靠性验证，具备出色的抗湿性和耐焊接热冲击能力。此外，产品符合AEC-Q101汽车级认证的部分要求，虽然主要用于工业与消费类市场，但在某些轻度车载应用中也有一定适用性。其低反向漏电流设计确保在高温关断状态下仍能维持较高的阻断能力，避免因漏电导致的系统异常。整体而言，该器件在效率、尺寸、可靠性和成本之间取得了良好平衡，是现代高效电源管理方案中的优选元件之一。

应用

MA16DP21C3广泛应用于各类中小型功率电源系统中，尤其是在需要高效率和快速响应的场合。常见用途包括DC-DC转换器中的续流二极管和输出整流二极管，特别是在同步整流架构尚未采用的情况下，该器件能够有效减少导通损耗，提升转换效率。它也常用于开关模式电源（SMPS）中的箝位电路，用以吸收变压器漏感引起的电压尖峰，保护主开关器件如MOSFET或控制器IC。
　　在便携式电子设备如智能手机、平板电脑、移动电源和可穿戴设备中，MA16DP21C3因其小尺寸和低功耗特性而被广泛采用，用于电池充放电管理电路、电压调节模块以及负载切换路径中的防倒灌二极管。此外，在LED驱动电源中，该器件可用于防止反向电压损坏LED串，同时在升压或降压拓扑中作为辅助整流元件发挥作用。
　　工业控制设备中的传感器供电、隔离电源反馈回路、继电器驱动电路的续流保护也是其典型应用场景。由于其具备一定的抗干扰能力和快速响应特性，该器件还可用于信号整流或电平钳位电路中，尤其适用于高频脉冲信号处理。在适配器、充电器和USB PD电源模块中，MA16DP21C3凭借其高可靠性和紧凑封装，成为提升功率密度和延长待机时间的关键组件之一。