B7PS-VH 时间：2025/12/27 15:25:56 阅读：14

B7PS-VH是一款由罗姆（ROHM）公司生产的P沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理领域。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，具备低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性等优点，适合在便携式电子设备和电池供电系统中使用。B7PS-VH封装于小型S-Mini（SOT-563）封装中，有助于节省PCB空间，适用于对尺寸要求较高的紧凑型设计。该MOSFET主要用于负载开关、DC-DC转换器、电压反转电路以及各类低功耗电源切换应用。其设计兼顾了效率与可靠性，在轻载和满载条件下均能保持出色的性能表现。此外，B7PS-VH符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级认证，因此不仅适用于消费类电子产品，也可用于汽车电子系统中的电源控制模块。器件的栅极阈值电压较低，便于与逻辑信号直接驱动，减少了额外驱动电路的需求，从而简化了整体系统设计。

参数

型号：B7PS-VH
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：-20V
　　最大连续漏极电流（Id）：-2.7A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：-5.4A
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻Rds(on)：45mΩ（Vgs = -4.5V）
　　导通电阻Rds(on)：60mΩ（Vgs = -2.5V）
　　栅极阈值电压（Vth）：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容（Ciss）：330pF（Vds=10V, Vgs=0V）
　　输出电容（Coss）：190pF（Vds=10V, Vgs=0V）
　　反向恢复时间（trr）：未内置续流二极管
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：S-Mini（SOT-563）
　　安装类型：表面贴装

特性

B7PS-VH采用ROHM专有的沟槽结构硅工艺，实现了极低的导通电阻，从而显著降低了导通损耗，提升了整体电源效率。其45mΩ的Rds(on)在同类P沟道MOSFET中处于领先水平，特别适合用于需要高效能转换的低压电源系统。该器件的栅极驱动电压兼容3.3V及5V逻辑电平，能够在-2.5V至-4.5V的栅源电压下稳定工作，无需额外的电平转换电路，极大地方便了与微控制器或电源管理IC的接口设计。由于采用了S-Mini小型封装，热阻较低，散热性能良好，即使在高密度布局的PCB上也能维持可靠运行。
　　B7PS-VH具备优异的开关特性，开关速度较快，输入和输出电容较小，有效减少了开关过程中的能量损耗，提高了高频工作的效率。同时，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性。其-1.4V的最大栅极阈值电压确保了在宽温度范围内仍能实现完全导通，避免因温度升高导致的阈值漂移问题。器件还具备出色的ESD防护能力，HBM模型下可承受高达2kV的静电放电，提升了生产装配和实际使用中的可靠性。
　　该产品通过AEC-Q101认证，表明其在极端温度、湿度、振动等恶劣环境下仍能保持长期稳定性，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块、电动门窗驱动等汽车电子应用。此外，无铅、无卤素的设计符合现代绿色电子产品的环保要求。B7PS-VH在制造过程中严格控制杂质和缺陷密度，确保批次间一致性高，适合大规模自动化生产。

应用

B7PS-VH常用于便携式设备中的电源开关控制，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，作为电池与负载之间的通断开关，实现节能待机与快速唤醒功能。在DC-DC降压或升压转换器中，它可作为同步整流管或高端开关使用，提升转换效率并减少发热。该器件也适用于电压反相电路，用于生成负电源轨，常见于传感器偏置、运算放大器供电等场景。在电池管理系统（BMS）中，可用于充放电路径的隔离控制，防止反向电流造成损害。此外，由于其小型化封装和高可靠性，B7PS-VH被广泛应用于工业手持设备、医疗监测仪器、智能家居控制板等对空间和稳定性要求较高的场合。在汽车电子领域，可用于车灯控制、电动座椅调节、车载摄像头电源管理等子系统中，提供安全可靠的电源切换方案。