型号：B7921
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：5.8A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：23A
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：600pF（@VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：120pF（@VDS=15V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@VDS=15V）
　　栅极电荷（Qg）：12nC（@VGS=10V）
　　功耗（PD）：1.25W（@25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOT-23

B7921采用先进的沟槽栅极工艺技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体能效。其低至18mΩ的RDS(on)在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，特别适用于大电流、低电压的应用场景，如DC-DC转换器和负载开关。该器件在VGS=4.5V时仍能保持较低的导通电阻（22mΩ），说明其具备良好的低压驱动能力，兼容3.3V或5V逻辑信号控制，无需额外的电平转换电路。
　　该MOSFET具有优异的开关性能，输入电容和反向传输电容较小，有助于减少开关过程中的能量损耗，提升高频工作的效率。其栅极电荷（Qg）仅为12nC，在高速开关应用中可降低驱动电路的负担，提高系统响应速度。同时，器件具备较高的雪崩耐量，能够在突发的电压尖峰或感性负载断开时提供一定的自我保护能力，增强了系统的可靠性和耐用性。
　　B7921的热阻特性经过优化，即使在高功率密度环境下也能有效散热，延长使用寿命。其工作结温可达+150℃，支持高温环境下的稳定运行，适用于工业控制、车载电子等对温度要求严苛的场合。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。

B7921广泛应用于各类中低功率电子系统中，尤其适合作为同步整流开关、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关、DC-DC升压/降压转换器中的主开关管、LED恒流驱动电路中的开关元件以及电机驱动电路中的低端开关。在移动电源、蓝牙耳机、智能手表等便携式设备中，B7921凭借其小封装和低功耗特性，成为理想的功率开关选择。
　　在电源管理单元（PMU）中，B7921可用于实现负载开关功能，控制不同模块的供电通断，避免电流倒灌和系统启动冲击。其快速开关能力和低导通损耗有助于提升电源转换效率，延长电池续航时间。此外，在USB充电端口的过流保护和热插拔控制中，该器件也可作为理想的选择。
　　在工业自动化领域，B7921可用于驱动继电器、电磁阀或小型直流电机，实现精确的功率控制。其稳定的电气特性和宽温度工作范围使其能够在复杂电磁环境和温度波动较大的工业现场中可靠运行。同时，由于其封装小巧，便于集成到密集布线的控制板上，节省空间并降低成本。

AO3400
　　Si2301DS
　　FDG330N