B7807 时间：2025/12/27 13:16:33 阅读：38

B7807是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路和负载控制等场景。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高效率和良好的热稳定性等特点。B7807适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池供电设备以及各种中等功率开关应用。其封装形式为SOP-8（表面贴装），有助于在紧凑的PCB布局中实现高效散热与空间利用。该MOSFET设计用于在4.5V至20V的栅极驱动电压下稳定工作，兼容大多数逻辑电平信号源，如微控制器和专用驱动IC。此外，B7807具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有利于减少开关损耗，提高系统整体能效。器件还内置了对静电放电（ESD）的防护能力，并符合RoHS环保标准，适合工业、消费类电子及便携式设备使用。

参数

型号：B7807
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：9A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：36A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on)：最大10mΩ（@ VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：最大13mΩ（@ VGS=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：典型值1.5V，范围1.0V~2.5V
　　栅极电荷（Qg）：典型值19nC（@ VDS=15V, ID=4.5A）
　　输入电容（Ciss）：典型值850pF
　　输出电容（Coss）：典型值350pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值25ns
　　功耗（PD）：2.5W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOP-8

特性

B7807采用了Rohm专有的沟槽结构MOSFET工艺，这种结构通过优化单元密度和电场分布，实现了极低的导通电阻，从而显著降低导通状态下的功率损耗。该器件在VGS=10V时RDS(on)仅为10mΩ，在同类产品中表现出优异的导电性能，特别适用于大电流传输路径中的低损耗开关。同时，在常见的4.5V逻辑电平驱动条件下，其RDS(on)仍可维持在13mΩ以下，确保与3.3V或5V微控制器直接接口时仍能保持良好性能。
　　另一个关键优势是其低栅极电荷特性，Qg典型值为19nC，这使得在高频开关应用中所需的驱动能量更少，降低了驱动电路的设计复杂度，并提升了系统的开关速度和能效。结合较低的输入和输出电容，B7807在DC-DC转换器或同步整流拓扑中能够有效减少开关过渡过程中的能量损耗，尤其适合用于便携式设备的高效电源管理模块。
　　热稳定性方面，B7807集成了良好的热阻设计，配合SOP-8封装提供的焊盘散热路径，能够在高负载条件下维持可靠运行。其额定工作结温高达150°C，并具备过温保护裕量，适用于环境温度较高的工业应用场景。此外，器件内部具有一定的ESD耐受能力，增强了在生产和组装过程中的鲁棒性。所有材料符合无铅和RoHS标准，支持环保生产要求。综合来看，B7807凭借其高性能参数、稳定可靠的表现和小型化封装，成为现代中功率电子系统中理想的开关元件选择。

应用

B7807常用于各类需要高效开关控制的电子系统中，典型应用包括但不限于：同步降压型DC-DC转换器，其中作为高边或低边开关使用，利用其低RDS(on)和快速开关特性提升转换效率；电池供电设备中的电源路径管理，例如笔记本电脑、移动电源和便携式仪器，实现充放电控制与负载切换；电机驱动电路，用于驱动小型直流电机或步进电机的H桥结构中，提供低损耗的电流通道；LED驱动电源，特别是在恒流调节拓扑中作为开关管使用；此外，也广泛应用于各类家用电器控制板、工业自动化模块和电源分配单元中，执行继电器替代、热插拔保护和过流切断等功能。得益于其SOP-8封装的小尺寸和表面贴装特性，B7807非常适合空间受限的高密度PCB设计，同时便于自动化贴片生产，提升制造效率。