时间：2025/9/2 3:21:51
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H5TQ1G63DFR-H9CR是一款由SK Hynix（海力士）公司制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动DRAM类别，适用于移动设备和嵌入式系统。该芯片的封装形式为FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array），具有低功耗、高集成度和高性能的特点。H5TQ1G63DFR-H9CR的容量为1Gb（Gigabit），通常用于需要较高数据处理能力的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和其他移动计算设备。
容量：1Gb
封装类型：FBGA
存储类型：DRAM
电源电压：1.8V
数据宽度：16位
时钟频率：166MHz
工作温度范围：-40°C至85°C
H5TQ1G63DFR-H9CR是一款专为低功耗应用设计的移动DRAM芯片。它采用先进的CMOS技术制造，确保了在高性能下的低能耗运行，非常适合电池供电设备。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不丢失数据的情况下降低功耗。此外，其FBGA封装形式提供了较小的物理尺寸和良好的散热性能，适合高密度电路板设计。H5TQ1G63DFR-H9CR的166MHz时钟频率使其能够支持高速数据传输，适用于需要快速处理能力的应用场景。
H5TQ1G63DFR-H9CR还具有良好的兼容性和稳定性，能够在不同的工作条件下保持可靠的数据存储和访问性能。其16位的数据宽度允许并行处理多个数据位，从而提高数据吞吐量。该芯片的1.8V电源电压设计不仅降低了功耗，还减少了热量的产生，延长了设备的使用寿命。此外，H5TQ1G63DFR-H9CR支持多种工作模式，包括突发模式和预充电模式，以满足不同的系统需求。
H5TQ1G63DFR-H9CR广泛应用于移动通信设备和嵌入式系统，如智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器和其他需要高效能、低功耗存储解决方案的设备。由于其高可靠性和高性能，该芯片也可用于工业控制、医疗设备和汽车电子系统中的数据缓存和临时存储。
H5TQ1G63EFR-H92A、H5TQ1G63DFR-PBC
