型号：B7740
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：650 V
　　漏极电流ID：13 A (Tc=25°C)
　　连续漏极电流ID@25°C：13 A
　　脉冲漏极电流IDM：52 A
　　栅源电压VGS：±20 V
　　导通电阻RDS(on)：0.38 Ω @ VGS=10 V
　　阈值电压VGS(th)：3.0 V ~ 4.0 V
　　输入电容Ciss：1300 pF @ VDS=100 V
　　输出电容Coss：190 pF @ VDS=100 V
　　反向恢复时间trr：38 ns
　　最大功耗Ptot：150 W
　　工作结温范围Tj：-55 °C ~ +150 °C
　　封装形式：TO-220

B7740采用了英飞凌独有的TrenchStop?第四代技术，这一技术通过优化沟槽结构与电场分布，在高压应用中实现了卓越的性能平衡。其核心优势在于低导通电阻与优异的开关速度之间的协调，使得在650V耐压等级下仍能保持RDS(on)仅为0.38Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。同时，该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），这有助于减少驱动电路所需的能量，并加快开关过渡过程，从而减小开关损耗，尤其是在高频工作条件下表现尤为突出。
　　另一个关键特性是其出色的热性能。得益于TO-220封装的良好散热能力以及芯片内部的热优化设计，B7740能够在高达150°C的结温下稳定运行。此外，该MOSFET具备较高的雪崩能量承受能力，意味着在遭遇瞬态过压或电感负载突变时，器件不易发生损坏，提升了系统在异常工况下的安全性与耐用性。这种坚固性使其非常适合用于工业控制、不间断电源（UPS）和绿色能源转换系统等对可靠性要求较高的领域。
　　此外，B7740还具备良好的抗dv/dt能力和较低的体二极管反向恢复电荷，进一步减少了电磁干扰（EMI）风险，有利于简化EMI滤波电路的设计。其阈值电压设定合理，避免了误触发的同时也保证了与标准逻辑电平驱动信号的良好兼容性。综合来看，B7740不仅在电气性能上表现出色，而且在可靠性、热管理和系统集成方面都展现出高度优化的特点，是一款适用于多种中高端功率转换应用的理想选择。

B7740主要应用于各类中高功率开关模式电源系统中，包括但不限于AC-DC适配器、服务器电源单元（PSU）、通信电源模块以及工业用DC-DC转换器。由于其具备650V的高击穿电压和优良的效率特性，特别适合用于离线式反激变换器、正激变换器以及LLC谐振转换器拓扑中，作为主开关管或同步整流器件使用。在这些应用中，B7740能够以较低的导通损耗和开关损耗支持更高的工作频率，从而允许使用更小的磁性元件和滤波电容，实现电源系统的微型化与轻量化设计。
　　此外，该器件也被广泛用于LED照明驱动电源，尤其是大功率户外LED路灯和商业照明系统中，这类应用通常要求长寿命、高可靠性和高能效，而B7740凭借其稳定的电气特性和良好的热稳定性，能够满足这些严苛条件。在电机驱动领域，B7740可用于中小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，提供高效的功率切换功能。它还可作为电子负载、加热控制系统和逆变器中的功率开关元件，承担频繁通断任务。
　　在可再生能源系统中，如太阳能微逆变器或储能系统的DC-DC级，B7740同样可以发挥其高效能优势。由于其具备一定的雪崩耐量和抗浪涌能力，能够在电网波动或负载突变情况下保持稳定运行，因此有助于提升整个系统的安全等级。总体而言，B7740适用于所有需要高效率、高可靠性且工作电压在600V左右的电力电子变换场景，是现代节能型电子产品中不可或缺的关键元器件之一。

IKW75N65ES
　　SPW47N60C3
　　IPA60R650CE