型号：B7675
　　器件类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN HEMT）
　　材料：GaN-on-Si（氮化镓在硅上）
　　击穿电压（V(BR)DSS）：650 V
　　连续漏极电流（ID）：15 A（TC = 25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：60 A
　　导通电阻（RDS(on)）：45 mΩ（典型值，@ VGS = 6.5 V）
　　栅极阈值电压（Vth）：3.0 V ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：1200 pF（@ VDS = 48 V, f = 1 MHz）
　　输出电容（Coss）：280 pF（@ VDS = 48 V, f = 1 MHz）
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C（无体二极管反向恢复）
　　最大栅源电压（VGS max）：+7 V / -4 V
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：TOLL（Thin Small Outline Leadless）
　　热阻（RθJC）：0.9 K/W
　　符合RoHS标准：是
　　引脚数：4

B7675 的核心优势在于其基于氮化镓材料的物理特性所带来的卓越动态性能。氮化镓作为一种宽禁带半导体材料，具有比硅更高的临界电场强度和电子迁移率，这使得 B7675 能够在更高的电压下实现更低的导通损耗和更快的开关速度。与传统的硅基超结MOSFET相比，B7675 在硬开关和软开关拓扑中均表现出显著降低的开关能量损耗，尤其是在高频操作条件下，这种优势更加明显。例如，在LLC谐振转换器或图腾柱PFC（功率因数校正）电路中，B7675 可以有效减少死区时间损耗和反向恢复损耗，从而将系统效率提升至98%以上。
　　该器件采用增强型设计，即在零栅极偏置下处于关断状态，这一特性极大提升了系统的安全性和易用性。相比于耗尽型氮化镓器件需要复杂的负压驱动电路，B7675 可以直接兼容CMOS或TTL电平的驱动信号，简化了驱动电路设计，并降低了系统成本。同时，其栅极结构经过优化，具有较高的抗噪能力和 dv/dt 抗扰度，能够在高 di/dt 和 dv/dt 环境下稳定工作，避免误触发。
　　B7675 还具备出色的热性能表现。得益于 TOLL 封装的低热阻设计和底部大面积裸露焊盘，热量可以高效地传导至PCB，从而实现良好的散热效果。这种封装形式不仅支持表面贴装自动化生产，还通过缩短内部互连长度进一步降低了寄生电感，有助于抑制电压过冲和振荡，提升系统EMI性能。
　　此外，B7675 内部没有传统MOSFET的体二极管，因此不存在反向恢复电荷（Qrr = 0），从根本上消除了因二极管反向恢复引起的能量损耗和电磁干扰问题。这一特性对于高频桥式拓扑尤为重要，能够显著提升系统效率并降低滤波元件的负担。器件还具备良好的雪崩耐受能力，在异常工况下展现出较高的鲁棒性，适合用于对可靠性要求极高的工业和通信电源场景。

B7675 广泛应用于各类高效率、高功率密度的电源转换系统中。在数据中心领域，它被广泛用于服务器电源单元（PSU）中的图腾柱PFC级和LLC谐振变换器，帮助实现80 PLUS Titanium等级的超高效率，满足日益增长的算力需求和节能减排目标。在通信基础设施中，B7675 可用于48 V中间母线转换器（IBC）和DC-DC模块，为基站和路由器提供高效稳定的供电方案。
　　在新能源汽车领域，B7675 适用于车载充电机（OBC）和DC-DC转换器，支持双向能量流动和高集成度设计，有助于延长续航里程并缩小电源模块体积。其优异的高温工作能力和快速响应特性也使其成为混合动力和纯电动汽车电源系统的理想选择。
　　工业自动化设备中的高端开关电源、激光驱动器、UPS不间断电源以及光伏逆变器也是 B7675 的重要应用场景。在这些系统中，B7675 能够在宽输入电压范围内保持高效率运行，并支持更高的开关频率，从而减小磁性元件和电容器的尺寸，降低整体系统成本。
　　此外，B7675 还可用于消费类高端产品，如大功率适配器、游戏主机电源和LED照明驱动器，特别是在追求小型化和高能效的产品设计中展现出明显优势。随着氮化镓技术的成熟和成本下降，B7675 正逐步替代传统硅器件，推动整个电力电子行业向更高频、更高效的方向发展。

IGBT2B7675KXUMA1
　　EPC2216
　　GAN5678