B75NF75L 时间：2025/7/22 8:58:28 阅读：7

B75NF75L 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源管理应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及电池管理系统等场合。B75NF75L 采用 TO-220AB 封装，具有良好的热管理和电气性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：75V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）@ 25°C：75A
　　漏极电流（Id）@ 100°C：47A
　　导通电阻（Rds(on)）@ Vgs=10V：8.5mΩ（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）@ Vgs=4.5V：12mΩ（最大）
　　功率耗散（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

B75NF75L 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具备低导通电阻特性，这使得它在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其 Rds(on) 在 Vgs=10V 时最大为 8.5mΩ，即使在较低的栅极电压（4.5V）下也能保持 12mΩ 的低值，适用于需要快速开关和低功耗设计的场合。
　　该器件的额定漏极电流在 25°C 下高达 75A，但在 100°C 高温环境下仍能保持 47A 的电流承载能力，说明其具有良好的热稳定性。B75NF75L 的最大功率耗散为 125W，适合高功率密度设计。
　　此外，B75NF75L 具有宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C），可适应恶劣的工作环境。其 TO-220AB 封装结构具备良好的散热性能，便于安装在散热片上以提高热管理效率。
　　该 MOSFET 内部采用了先进的沟槽栅技术，提高了开关速度和热稳定性，同时降低了开关损耗。其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（如 5V 或 10V），便于与多种控制电路配合使用。

应用

B75NF75L 广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。例如，它是开关电源（SMPS）中的理想选择，可用于同步整流、主开关和次级侧整流等环节。在 DC-DC 转换器中，B75NF75L 可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，提供高效能的电压转换解决方案。
　　在电机控制和电池管理系统中，该器件可用于 H 桥驱动电路或负载开关，实现对电机速度、方向和电流的精确控制。此外，B75NF75L 还适用于工业自动化设备、电动工具、不间断电源（UPS）、电动车充电器等领域。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，B75NF75L 特别适合用于需要高效率和低发热的紧凑型设计中，如便携式设备电源、LED 照明驱动器和家用电器中的功率控制模块。