B75NF75L 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率电源管理应用,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及电池管理系统等场合。B75NF75L 采用 TO-220AB 封装,具有良好的热管理和电气性能。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):75V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id)@ 25°C:75A
漏极电流(Id)@ 100°C:47A
导通电阻(Rds(on))@ Vgs=10V:8.5mΩ(最大)
导通电阻(Rds(on))@ Vgs=4.5V:12mΩ(最大)
功率耗散(Ptot):125W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-220AB
B75NF75L 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具备低导通电阻特性,这使得它在高电流应用中能够显著降低导通损耗,提高系统效率。其 Rds(on) 在 Vgs=10V 时最大为 8.5mΩ,即使在较低的栅极电压(4.5V)下也能保持 12mΩ 的低值,适用于需要快速开关和低功耗设计的场合。
该器件的额定漏极电流在 25°C 下高达 75A,但在 100°C 高温环境下仍能保持 47A 的电流承载能力,说明其具有良好的热稳定性。B75NF75L 的最大功率耗散为 125W,适合高功率密度设计。
此外,B75NF75L 具有宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C),可适应恶劣的工作环境。其 TO-220AB 封装结构具备良好的散热性能,便于安装在散热片上以提高热管理效率。
该 MOSFET 内部采用了先进的沟槽栅技术,提高了开关速度和热稳定性,同时降低了开关损耗。其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平(如 5V 或 10V),便于与多种控制电路配合使用。
B75NF75L 广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。例如,它是开关电源(SMPS)中的理想选择,可用于同步整流、主开关和次级侧整流等环节。在 DC-DC 转换器中,B75NF75L 可用于升压(Boost)或降压(Buck)电路,提供高效能的电压转换解决方案。
在电机控制和电池管理系统中,该器件可用于 H 桥驱动电路或负载开关,实现对电机速度、方向和电流的精确控制。此外,B75NF75L 还适用于工业自动化设备、电动工具、不间断电源(UPS)、电动车充电器等领域。
由于其低导通电阻和高电流能力,B75NF75L 特别适合用于需要高效率和低发热的紧凑型设计中,如便携式设备电源、LED 照明驱动器和家用电器中的功率控制模块。
STP75NF75Z, FDP7530, IRF1405, BSC080N04LS5