类型：N沟道
　　最大漏极电流：75A
　　最大漏源电压：75V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.018Ω
　　栅极电荷：60nC
　　最大功耗：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220

B75NF75的主要特性之一是其低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。其0.018Ω的RDS(on)值确保了在高负载条件下仍能保持较低的温度上升，从而提高系统的稳定性和寿命。此外，B75NF75的栅极电荷较低，使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。该器件的最大漏极电流为75A，能够承受较大的负载，适用于需要高电流能力的电源设计。
　　B75NF75还具有较高的热稳定性和耐用性，能够在恶劣的工作环境下保持良好的性能。其TO-220封装形式不仅便于安装和散热，还能提供良好的机械强度。此外，该MOSFET的开关速度快，适合用于高频率的开关电路中，从而提高整体系统的效率。B75NF75的高可靠性和优异的电气性能使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。

B75NF75广泛应用于多种电子设备和系统中，包括电源供应器、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统和负载开关等。在电源供应器中，B75NF75可以用作主开关元件，以实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率。在电机驱动电路中，B75NF75能够承受较大的电流负载，确保电机的稳定运行。此外，该器件还可用于电池管理系统中，以控制电池的充放电过程。在负载开关应用中，B75NF75可以有效地控制高功率负载的通断。

IRF1404, FDP75N75, STP75NF75