漏源击穿电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）：15A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.48Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：140W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

IXTH15N65 MOSFET具备多个显著的技术特性，首先是其高耐压能力，漏源击穿电压达到650V，使得该器件能够在高压环境下稳定工作。其次，其连续漏极电流为15A，能够支持中高功率应用的电流需求。
　　该器件的导通电阻RDS(on)最大为0.48Ω，较低的导通电阻意味着在导通状态下功率损耗较小，从而提高了整体系统的能效。此外，IXTH15N65采用了先进的平面技术制造，提供良好的热稳定性和耐用性。
　　IXTH15N65的栅源电压范围为±20V，使其在驱动方面具有较强的适应能力，同时内置的快速恢复体二极管进一步提高了其在高频开关应用中的性能。封装形式为TO-247，这种封装方式具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　该MOSFET还具有低门极电荷（Qg）和快速开关特性，使其在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS系统和电机驱动器中表现优异。

IXTH15N65广泛应用于多种高功率电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，它用于实现高效的能量转换，适用于AC-DC和DC-DC电源模块。在电机控制应用中，该器件用于驱动直流电机或无刷电机，适用于工业自动化设备和电动工具。
　　该MOSFET也常用于不间断电源（UPS）系统，确保在电源切换过程中系统的稳定运行。此外，IXTH15N65还可用于LED照明驱动、高压充电器和电源管理系统。
　　由于其高可靠性和耐高温特性，该器件也适合用于恶劣环境下的工业控制系统，如变频器、逆变器以及智能电网设备中。

IRFPG50, STP15N65M5, FQA15N65C