B72590D50H160 时间：2025/12/27 11:34:39 阅读：14

B72590D50H160是EPCOS（现为TDK电子）生产的一款磁珠阵列（Ferrite Array），主要用于抑制高频噪声，适用于高速数据线路的电磁干扰（EMI）滤波。该器件集成了多个铁氧体磁珠，封装在一个小型化多层陶瓷芯片内，适合高密度PCB布局。B72590D50H160属于共模扼流类磁珠阵列，特别设计用于差分信号线，如USB、HDMI、LVDS等高速接口，能够有效抑制共模噪声，同时对差分信号的传输影响极小。该元件采用表面贴装技术（SMT），具备良好的焊接可靠性和温度稳定性，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。其结构设计优化了高频性能，能够在不影响信号完整性的情况下实现高效的EMI抑制。此外，B72590D50H160符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适合现代绿色电子产品制造要求。

参数

产品类型：磁珠阵列
　　电路类型：共模滤波器
　　通道数：4通道
　　阻抗（100MHz）：160 Ω ± 25%
　　额定电流：50 mA
　　直流电阻（DCR）：典型值 0.8 Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：SMD
　　尺寸：3.2 mm × 1.6 mm × 1.0 mm
　　端接方式：镍/锡电极
　　热时间常数：约 70 s
　　最大功耗：50 mW
　　绝缘电阻：最小 100 MΩ
　　耐电压：50 V AC（1分钟）
　　

特性

B72590D50H160磁珠阵列的核心特性在于其优异的共模噪声抑制能力，尤其适用于高速差分信号线路中的EMI滤波需求。该器件在100MHz频率下提供160Ω的标称阻抗，阻抗范围经过严格控制，确保在宽频范围内（通常从几十MHz到GHz级别）保持稳定的滤波性能。由于其专为共模噪声设计，对差分信号路径的影响极小，因此不会显著劣化高速信号的上升沿或引入额外的抖动，保障了信号完整性。每个通道的直流电阻（DCR）低至0.8Ω，有助于减少因电流通过而产生的功率损耗和温升，提升系统能效。
　　该磁珠阵列采用多层铁氧体材料与精密电极结构制造，内部绕组设计优化了磁场耦合效率，增强了共模阻抗的同时降低了差模干扰的敏感度。四通道集成设计使其非常适合用于多路差分信号线，例如四对LVDS数据线或并行高速数字总线，节省PCB空间并简化布局布线。其表面贴装封装（尺寸为3.2×1.6×1.0mm）兼容标准回流焊工艺，具备良好的机械强度和热循环耐久性，适合自动化生产流程。
　　B72590D50H160的工作温度范围宽达-40°C至+125°C，可在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。器件还具有较高的绝缘电阻（≥100MΩ）和耐压能力（50V AC），确保长期使用的电气安全性。此外，该元件通过AEC-Q200认证的可能性较高（需查证具体批次），表明其具备车规级可靠性。整体设计兼顾高频性能、热稳定性和制造兼容性，是高性能EMI滤波解决方案中的关键元件之一。

应用

B72590D50H160广泛应用于需要高精度EMI抑制的高速数字和模拟混合电路中。典型应用场景包括液晶显示器（LCD）面板中的LVDS接口滤波，用于消除时钟和数据线上的共模噪声，防止干扰辐射影响周围敏感电路或导致EMC测试失败。在通信设备中，该磁珠阵列可用于千兆以太网PHY模块、背板连接器或光模块的信号调理，提升系统的抗干扰能力和信号质量。
　　在消费电子产品方面，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，B72590D50H160常被部署于摄像头模组、显示屏驱动线路以及USB 3.0/3.1高速数据通道中，抑制高频噪声向电源或其他射频模块（如Wi-Fi、蓝牙）耦合，避免造成信号串扰或灵敏度下降。在工业控制系统中，该器件可用于PLC模块、工业HMI人机界面或机器视觉系统的信号隔离与滤波，确保在强电磁环境下仍能稳定通信。
　　此外，B72590D50H160也适用于汽车电子领域，特别是在车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）摄像头链路和仪表盘显示接口中，满足严格的车载EMC标准（如CISPR 25）。其小型化封装和高可靠性使其成为紧凑型电子设备中不可或缺的EMI对策元件。无论是有线通信、视频传输还是高速数据采集系统，该磁珠阵列都能有效提升系统电磁兼容性能，降低产品开发后期因EMI问题导致的设计返工风险。