类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：60V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：25A
　　脉冲漏极电流（IDM）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：6.8mΩ @ VGS=5V
　　栅极阈值电压（Vth）：1.4V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1300pF @ VDS=30V
　　输出电容（Coss）：420pF @ VDS=30V
　　反向恢复电荷（Qrr）：0C（无体二极管，反向导通依赖于通道）
　　栅极电荷（Qg）：9.5nC @ VGS=5V
　　工作结温范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：LGA 6引脚
　　安装方式：表面贴装
　　峰值工作频率：可达数MHz级别

B72500T60M60的核心优势在于其基于氮化镓（GaN）材料的半导体结构，这使得它在性能上远超传统硅基MOSFET。首先，该器件为增强型设计，意味着在零栅极偏压下处于关断状态，符合大多数电源系统的安全与控制逻辑需求，简化了驱动电路的设计。相比耗尽型GaN器件，无需负压关断，可以直接与标准CMOS或驱动IC接口，提升了系统集成的便利性。
　　该器件具有极低的导通电阻（RDS(on) = 6.8mΩ），在60V额定电压下能够承载高达25A的连续电流，显著降低了导通损耗，特别适用于大电流、低电压输出的同步整流和降压变换器拓扑。同时，由于氮化镓材料的电子迁移率更高，B72500T60M60具备极快的开关速度，其输入电容和栅极电荷（Qg = 9.5nC）非常低，进一步减少了开关过程中的能量损耗，使得电源系统能够在数百kHz至MHz级别的高频下高效运行，从而缩小磁性元件和电容的体积，实现更高的功率密度。
　　另一个关键特性是其近乎理想的开关行为。由于eGaN FET没有传统MOSFET的体二极管，反向导通需通过沟道实现（称为“反向导通模式”），因此不存在反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），极大减少了硬开关应用中的电压过冲和电磁干扰（EMI）。这一特性在LLC谐振转换器、图腾柱PFC等拓扑中尤为重要，可显著提升系统效率和可靠性。
　　该器件采用LGA（Land Grid Array）6引脚封装，尺寸紧凑（通常小于3mm x 3mm），不仅节省PCB空间，还通过优化引脚布局降低了寄生电感，提升了高频稳定性。封装设计允许通过PCB背面进行高效散热，适用于高功率密度设计。此外，B72500T60M60经过严格测试，具备良好的可靠性和长期稳定性，符合AEC-Q101等车规级可靠性标准的部分要求，可用于汽车辅助系统等严苛环境。
　　总体而言，B72500T60M60凭借其高频、高效、高功率密度的综合优势，成为下一代电源系统中替代硅基MOSFET的理想选择，尤其适用于追求小型化和高能效的应用场景。

B72500T60M60广泛应用于对效率和功率密度有高要求的现代电力电子系统。在数据中心和服务器电源中，该器件可用于多相电压调节模块（VRM），支持CPU和GPU的动态负载响应，满足高电流、低电压供电需求，同时提升能效以降低运营成本。在消费类电子产品中，如笔记本电脑适配器、手机快充和无线充电发射端，B72500T60M60的高频特性有助于实现更小体积的AC-DC和DC-DC电源设计。
　　在电动汽车和车载系统中，该器件可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和激光雷达（LiDAR）驱动电路。特别是在LiDAR系统中，B72500T60M60能够支持纳秒级的高速脉冲输出，精确控制激光二极管的开启与关闭，提升测距精度和响应速度。此外，在工业自动化和通信基础设施中，该器件适用于高频率隔离式电源、射频功率放大器的包络跟踪电源（ET）以及太阳能微型逆变器等应用。
　　在照明领域，B72500T60M60可用于高亮度LED驱动电源，尤其是在需要调光和高效率的场合。其低导通电阻和快速开关能力可减少热量产生，延长灯具寿命。此外，该器件也适用于医疗设备中的紧凑型电源模块，以及无人机、机器人等移动设备的高效能源管理系统。由于其优异的热性能和可靠性，B72500T60M60在高温或空间受限环境中依然能稳定工作，展现出广泛的应用适应性。

EPC2045
　　EPC2053
　　LMG3410R050