B6P-VH-R(LF)(SN) 时间：2025/12/27 16:18:37 阅读：17

B6P-VH-R(LF)(SN) 是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode, SBD）。该器件采用紧凑型表面贴装封装（通常为SOD-123FL），适用于空间受限的高效率电源应用。作为一款低正向电压降、快速开关特性的二极管，B6P-VH-R在DC-DC转换器、逆变电路、续流与整流应用中表现出色。其“LF”后缀表示该产品符合无铅（Lead-Free）环保要求，“SN”则代表卷带包装（Taping Specification），适合自动化贴片生产流程。该器件设计用于在高温和高频环境下稳定运行，具备良好的热稳定性和可靠性，广泛应用于消费类电子、工业控制设备以及便携式电子产品中。

参数

型号：B6P-VH-R(LF)(SN)
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装类型：SOD-123FL
　　极性：单个肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　最大平均整流电流（IO）：500mA（0.5A）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：1A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：520mV（典型值，@ IF = 100mA）
　　最大反向漏电流（IR）：10μA（@ VR = 60V, TA = 25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（Rth(j-a)）：350°C/W（典型值，自由空气条件下）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（回流焊兼容）

特性

B6P-VH-R(LF)(SN) 肖特基二极管具备优异的电学性能和热稳定性，其核心优势在于低正向导通压降与快速开关响应能力。由于采用了先进的肖特基势垒结构，该器件在正向导通时的电压降仅为520mV左右（在100mA条件下），显著低于传统PN结二极管（通常为700mV以上），从而有效降低功耗，提升系统能效，尤其适用于电池供电或对能耗敏感的应用场景。此外，肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具有极短的反向恢复时间（trr < 10ns），几乎可以忽略不计，这使得它在高频开关电路如DC-DC升压/降压转换器中能够大幅减少开关损耗，并抑制电磁干扰（EMI）的产生。
　　该器件的反向耐压为60V，适合中低压电源系统使用，例如USB供电设备、小型电机驱动电路、LED驱动模块等。尽管肖特基二极管通常存在较高的反向漏电流，但B6P-VH-R通过优化材料与工艺，在室温下将最大反向漏电流控制在10μA以内，确保了良好的关断特性与稳定性。其SOD-123FL封装尺寸小巧（约2.0 x 1.25 x 1.0 mm），非常适合高密度PCB布局，同时具备良好的散热性能和机械强度，支持自动贴片生产工艺，提高了量产效率和产品一致性。此外，该器件符合RoHS指令和无卤素要求，满足现代电子产品对环保与安全的严格标准。工作结温可达+150°C，使其可在高温环境中长期可靠运行，适用于工业级和汽车电子外围电路。整体而言，B6P-VH-R(LF)(SN) 是一款高性能、高可靠性的表面贴装肖特基二极管，兼顾效率、尺寸与环境适应性，是现代低功率电源设计中的理想选择。

应用

B6P-VH-R(LF)(SN) 广泛应用于多种低电压、高效率的电子系统中。常见用途包括作为DC-DC转换器中的续流二极管或整流元件，特别是在升压（Boost）、降压（Buck）及反激式（Flyback）拓扑结构中，利用其低正向压降和快速恢复特性来提高转换效率并减少发热。该器件也常用于电源反接保护电路中，防止因电池或电源极性接反而损坏后续电路。在便携式设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中，它被用于电池充放电管理路径中，实现低功耗能量传输。此外，在AC-DC适配器、小型开关电源（SMPS）以及待机电源电路中，B6P-VH-R可用于输出整流环节，提升轻载效率。其高速开关能力还使其适用于信号解调、钳位电路和防倒灌二极管应用。在工业控制领域，该器件可用于PLC输入接口、传感器电源隔离、继电器飞轮二极管等场合。由于其小封装特性，也非常适合用于空间受限的高密度主板、模块电源（Module Power Supply）和FPGA辅助电源设计中。汽车电子中的非驱动类小功率系统，如车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）和车内照明驱动，也是其潜在应用方向。得益于其环保认证和可靠性，B6P-VH-R(LF)(SN) 同样适用于需要符合绿色制造标准的消费类电子产品出口市场。