时间：2025/7/22 8:55:54
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B6NK60Z 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等应用中。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高效率的特点，适合在高功率密度设计中使用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：6A
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
B6NK60Z MOSFET具备出色的导通和开关性能，能够提供高效的功率转换。其高耐压能力使其适用于各种高电压应用场景。该器件的低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率。此外，B6NK60Z的封装设计有利于散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。
这款MOSFET还具备良好的热稳定性和过载保护能力，能够在恶劣的工作环境下保持可靠性。其快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关应用。栅极驱动电压范围较宽，支持灵活的电路设计。此外，该器件的内部结构优化，降低了寄生电感，提高了开关速度和整体性能。
B6NK60Z 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、LED驱动器以及工业自动化设备。由于其高耐压和低导通电阻特性，非常适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。此外，该器件也适用于家电控制电路、充电器和电池管理系统等应用场景。
TK11A60D, 2SK2143, 2SK2545, IRFBC30, FQP6N60C
