型号：B5G470L
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(VDS)：20V
　　连续漏极电流(ID)：1.9A @ Ta=25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：6A
　　栅源击穿电压(V(BR)GS)：±8V
　　静态漏源导通电阻(RDS(on))：55mΩ @ VGS=4.5V
　　静态漏源导通电阻(RDS(on))：70mΩ @ VGS=2.5V
　　栅极电荷(Qg)：2.4nC @ VGS=4.5V
　　输入电容(Ciss)：240pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间(trr)：12ns
　　开启延迟时间(td(on))：4ns
　　关断延迟时间(td(off))：7ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：S-Mini (DFN1006D)
　　安装方式：表面贴装

B5G470L具备多项优异的电气与物理特性，使其成为便携式电子设备中理想的开关元件。首先，其超低导通电阻是核心优势之一，在VGS=4.5V时RDS(on)仅为55mΩ，而在更低的驱动电压2.5V下也能维持在70mΩ以内，这意味着即使在电池电量下降导致供电电压降低的情况下，器件依然能够保持较低的导通损耗，显著提升整体系统效率。这对于延长移动设备的续航时间至关重要。同时，低RDS(on)还减少了发热，有助于简化散热设计，尤其适合无法配备大型散热结构的小型化产品。
　　其次，B5G470L拥有极低的栅极电荷（Qg=2.4nC），这直接降低了开关过程中的驱动能量需求，使得它非常适合用于高频开关应用，如同步整流DC-DC转换器、负载开关和LED背光驱动电路。低Qg意味着更快的开关速度和更短的开关时间（开启延迟仅4ns，关断延迟7ns），从而减少开关过渡期间的能量损耗，进一步提高电源转换效率。此外，输入电容Ciss仅为240pF，减小了对前级驱动电路的负载影响，提升了系统的响应速度与稳定性。
　　再者，该器件采用S-Mini小型化封装，体积小巧，占用PCB面积极小，满足现代电子产品对高密度布局的需求。尽管尺寸微小，但其引脚设计优化了热传导路径，配合合理的PCB焊盘设计可实现有效的热量散逸。该封装还具备良好的机械强度和焊接可靠性，适用于自动化贴片生产流程。此外，B5G470L内置体二极管，具备一定的反向续流能力，适用于H桥或半桥拓扑中的自由轮转路径。其反向恢复时间较短（trr=12ns），有助于抑制反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰，提升系统EMI表现。综合来看，B5G470L通过低导通电阻、低栅极电荷、快速开关特性和微型封装的结合，为高性能、小型化电源系统提供了可靠的解决方案。

B5G470L主要应用于需要高效能、小尺寸和低功耗特性的便携式电子设备中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的电源管理模块，例如用于电池与主电源之间的负载开关控制，实现不同功能模块的上电时序管理和节能待机模式切换。在DC-DC降压或升压转换器中，该MOSFET常作为同步整流开关使用，替代传统的肖特基二极管以降低导通压降和热损耗，从而提高转换效率，尤其是在轻载和中等负载条件下效果更为明显。
　　此外，该器件也广泛用于TWS（真无线立体声）耳机充电仓的电源控制电路，负责电池充放电路径的通断管理，确保在不使用时切断负载以防止漏电，延长待机时间。在可穿戴设备如智能手表、健康监测手环中，B5G470L可用于传感器模块的供电使能控制，按需开启外设以节省电力。它还可作为LED驱动电路中的开关元件，用于调节显示屏背光或状态指示灯的亮灭。
　　在工业与物联网领域，B5G470L适用于低功耗传感器节点、无线通信模块（如蓝牙BLE、Wi-Fi模组）的电源门控设计，帮助实现深度睡眠模式下的零功耗或近零功耗运行。由于其支持2.5V以上的逻辑电平驱动，能与大多数现代微控制器的GPIO直接接口，无需额外电平转换电路，简化了设计复杂度。此外，在USB充电接口的过流保护或热插拔控制电路中，也可利用该MOSFET作为前端开关，防止浪涌电流冲击后级电路。总体而言，B5G470L凭借其优异的性能指标和微型封装，已成为众多高集成度、低功耗电子系统中不可或缺的关键组件。

DMG2302UK-7
　　FDMC6670
　　AOA6B04