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B5819 发布时间 时间:2025/12/26 10:32:35 查看 阅读:16

B5819是一款由ONSEMI(安森美)生产的表面贴装肖特基势垒二极管,广泛应用于低压、高频的整流电路中。该器件采用SOD-123封装,具有较小的物理尺寸,适合高密度的印刷电路板布局。B5819的主要特点在于其低正向压降和快速开关特性,这使得它在开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及极性保护等应用中表现出色。由于采用了肖特基势垒技术,B5819能够在较低的电压下实现高效的电流导通,从而减少能量损耗并提高系统整体效率。此外,该二极管具备良好的热稳定性与可靠性,在工业级温度范围内(-65°C至+125°C)均能稳定工作。B5819的反向重复电压为40V,平均整流电流可达1A,适用于多种便携式电子设备和消费类电子产品中的电源管理模块。

参数

型号:B5819
  封装类型:SOD-123
  二极管配置:单个
  最大重复反向电压(VRRM):40V
  平均整流电流(IO):1A
  峰值浪涌电流(IFSM):30A
  正向电压降(VF):典型值0.45V(在1A时),最大值0.575V(在1A时)
  反向漏电流(IR):最大50μA(在40V、25°C下)
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +125°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
  热阻抗(RθJA):约250°C/W(PCB板上)
  安装方式:表面贴装(SMD)

特性

B5819的核心优势在于其采用肖特基势垒结构所带来的低正向压降和快速恢复特性。这种设计显著降低了在导通状态下的功率损耗,尤其在低电压、大电流的应用场景中表现优异。例如,在电池供电设备或DC-DC转换器中,使用B5819可以有效提升电源转换效率,延长电池续航时间。其正向压降在1A电流下仅为0.45V左右,远低于传统PN结二极管的0.7V以上水平,这意味着每安培电流通过时可节省约0.25W的功耗,对于小型化和节能设计至关重要。
  另一个关键特性是其快速开关能力。由于肖特基二极管属于多数载流子器件,不存在少数载流子的存储效应,因此其反向恢复时间极短,通常小于10ns。这一特性使其非常适合用于高频开关电路,如开关模式电源(SMPS)、同步整流辅助二极管、续流二极管等场合,能够有效减少开关过程中的能量损失和电磁干扰(EMI)。同时,快速响应也提高了系统的动态性能和稳定性。
  B5819还具备良好的热稳定性和可靠性。尽管其额定平均整流电流为1A,但在适当的PCB散热设计下,可在短时间内承受高达30A的峰值浪涌电流,增强了对瞬态过流的耐受能力。此外,器件的工作结温范围宽达-65°C至+125°C,确保了在严苛环境条件下的长期可靠运行。SOD-123封装不仅体积小巧(约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm),而且具有较高的机械强度和焊接可靠性,适用于自动化贴片生产工艺,满足现代电子产品大批量制造的需求。

应用

B5819因其优异的电气性能和紧凑的封装形式,被广泛应用于各类电源管理和信号处理电路中。常见用途包括开关电源中的续流二极管或箝位二极管,用于防止电感元件在关断瞬间产生高压反电动势损坏主控芯片;在DC-DC升压或降压转换器中作为整流元件,配合电感和开关管完成能量转换,其低VF特性有助于提升整体转换效率;在逆变器和电机驱动电路中用作自由轮二极管,提供电流回流路径,保障系统安全运行。
  此外,B5819也常用于电池充电管理电路中的防反接保护,防止外部电源反接导致设备损坏;在USB供电接口、移动电源、LED照明驱动等便携式电子设备中,作为极性保护或电压隔离元件使用。由于其高频响应能力强,还可用于射频(RF)检波电路或小信号整流场合。工业控制设备、通信模块、智能家居产品等领域也普遍采用B5819来优化电源架构,降低能耗,提高系统集成度。得益于其表面贴装封装,特别适合于空间受限的高密度PCB设计,满足现代电子产品轻薄化、小型化的发展趋势。

替代型号

1N5819WS, MBRS140T3G, SS14, SB140, MBRM140

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