时间：2025/8/2 4:45:36
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B5817WSHE3-TP 是一款由 Diodes Incorporated 生产的表面贴装肖特基势垒二极管（SBD）。该器件采用了先进的硅技术，具有较低的正向电压降和快速的开关特性，适用于各种高频率和高效能的电源转换应用。B5817WSHE3-TP 采用 SOT-26 封装，适用于需要紧凑设计和高性能的便携式设备和电源管理系统。
类型：肖特基二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
最大平均整流电流（Io）：200mA
正向电压降（VF）：最大 0.35V @ 100mA
反向漏电流（IR）：最大 10μA @ 40V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-26
安装类型：表面贴装
B5817WSHE3-TP 肖特基二极管具有多项优异特性，适用于多种电子应用。首先，其低正向电压降（最大 0.35V）显著减少了导通损耗，提高了整体系统效率。这种特性使其非常适合用于电池供电设备和高效能电源管理电路。
其次，该器件的最大重复峰值反向电压为 40V，能够在中等电压环境下稳定工作，具备一定的耐压能力，适用于多种 DC-DC 转换器和负载开关应用。
此外，B5817WSHE3-TP 的最大平均整流电流为 200mA，适用于小型电子设备中的电流整流和隔离应用。其较小的 SOT-26 封装形式使得器件在空间受限的设计中具有很高的适用性，同时便于实现自动化生产和 PCB 布局优化。
该器件的反向漏电流非常低，最大为 10μA，在 40V 的反向电压下仍能保持良好的阻断性能，有助于提高系统的稳定性和可靠性。此外，其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，能够在极端温度环境下保持稳定的性能，适用于工业级和汽车电子应用。
最后，B5817WSHE3-TP 具有快速的开关特性，能够适应高频应用的需求，减少开关损耗并提高整体电路的响应速度。这使得该器件非常适合用于电源管理和高效能转换电路。
B5817WSHE3-TP 主要应用于以下领域：
1. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理和电池保护电路。
2. 电源转换器：包括 DC-DC 升压和降压转换器，以及 AC-DC 整流电路，用于提高能量转换效率。
3. 负载开关和电源隔离：在多个电源域之间进行隔离和切换，确保系统的稳定性和安全性。
4. 汽车电子系统：如车载充电器、电池管理系统和车载娱乐系统，提供高效的整流和电源管理功能。
5. 工业控制系统：用于传感器、执行器和自动化设备中的电源管理和信号隔离电路。
1N5817WS-7-F, B5819W-13-F, B5818WS-7-F, 1N5819, 1N5817
